[发明专利]蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法

说明书

本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。

技术领域

本发明涉及蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的形成薄膜晶体管基板的方法。

背景技术

最近，液晶显示装置、等离子体显示装置、电泳显示装置及有机电致发光装置等显示装置被广泛使用。

所述显示装置包括基板和设在所述基板上的多个像素。各像素包括与设在所述基板上的栅线和数据线连接的薄膜晶体管。通过所述栅线向所述薄膜晶体管输入栅开启电压，通过所述数据线向所述薄膜晶体管输入图像信号。

所述栅线和所述数据线可以由金属形成，通过光刻工艺进行构图。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对金属的蚀刻率高且改善了经时性的蚀刻液组合物。

本发明的另一个目的在于提供一种缩短制造时间、减少费用且减少断线等线路不良的薄膜晶体管基板的制造方法。

解决课题的技术方案

根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物含有第一组合物和第二组合物，所述第一组合物含有相对于蚀刻液组合物总重量的0.1重量％～20重量％的过二硫酸盐化合物、0.01重量％～2重量％的唑(azole)化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸盐化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有机酸、0.1重量％～2重量％的氟化物、0.1重量％～5重量％的磺酸化合物、0.1重量％～5重量％的无机酸以及使整个组合物的总重量成为100重量％的水，所述第二组合物含有相对于蚀刻液组合物总重量的0.1重量％～20重量％的过二硫酸盐化合物、0.01重量％～2重量％的唑类化合物、0.1重量％～10重量％的水溶性胺化合物、0.1重量％～5重量％的磷酸盐化合物、0.001重量％～1重量％的氯化物、0.1重量％～20重量％的有机酸以及使整个组合物的总重量成为100重量％的水。

所述蚀刻液组合物可以在制造显示装置用薄膜晶体管基板时使用。基于本发明一实施例的薄膜晶体管基板是在基板上形成栅线及与所述栅线连接的栅电极，并且在形成与所述栅线绝缘配置的半导体层、在所述半导体层上与所述栅线交叉配置的数据线、与所述数据线连接的源电极、从所述源电极分开的漏电极之后，形成与所述漏电极连接的像素电极而制造的。在此，可以利用所述蚀刻液形成所述栅线、所述栅电极、所述半导体层、所述数据线、所述源电极及所述漏电极。

根据本发明实施例的所述第一蚀刻液组合物用于蚀刻层叠在基板上的半导体材料及金属膜而形成所述半导体层。在本发明一实施例中，所述半导体层可以包含含有锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)以及它们的混合物中的至少一种的氧化物。

根据本发明实施例的所述第二蚀刻液组合物用于蚀刻金属膜而形成金属线路。在本发明一实施例中，所述金属膜可以由铜膜、包括铜的多重膜或者包含铜的合金膜提供。

根据本发明一实施例，提供一种线路的断线不良少，蚀刻率高，并且改善了经时性的蚀刻液组合物。

并且，根据本发明一实施例，通过所述金属线路的制造方法来制造薄膜晶体管基板，由此提供高质量的显示装置。

附图说明

图1是表示能够使用本发明实施例的蚀刻液组合物制造的显示装置的结构的俯视图；

图2是图1的I-I’的剖视图；