[发明专利]显示装置及像素在审

专利信息
申请号: 201410493661.2 申请日: 2014-09-24
公开(公告)号: CN104637437A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 田武泾 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;宋志强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 像素
【说明书】:

技术领域

本文中描述的一个或多个实施例涉及显示装置。

背景技术

有机发光二极管显示器包括多个像素,每个像素包括在两个电极之间的有机发光层。在操作中,来自电极之一的电子与来自另一电极的空穴在有机发光层中复合,生成用于发光的激子。

每个像素可还包括多个晶体管和至少一个电容器以控制发光。晶体管包括驱动晶体管和多个开关晶体管。这些晶体管基于各种控制信号驱动包括有机发光层的有机发光二极管。

在操作中,有机发光二极管可根据由有机发光二极管接收的驱动电流Id发出从较暗级别到较亮级别(如,从黑到白)变化的光。驱动电流的大小基于栅电极电压由驱动晶体管控制。与黑级别和白级别的光对应的栅电极电压之间的差异可被称为栅电极电压驱动范围。

前面提及的类型的有机发光二极管(OLED)显示器具有很多缺点。例如,像素尺寸随着屏幕分辨率的增加而趋于减少。减少的像素尺寸可引起每个像素中流动的电流量的减少,这转而使驱动晶体管的栅电极电压驱动范围变窄。更窄的栅电极电压驱动范围会减少每个像素能够发出的灰度级别的数量和/或增加为了产生期望的灰度级别而进行的对栅电极电压的控制难度。

进一步,由于与暗(或黑)级别的光的发射对应的关断偏置状态和与更亮(如,白)级别的光的发射对应的接通偏置状态会发生滞后。该滞后现象会限制显示装置的响应速度,在某种程度上反而影响亮度,尤其是在像素亮度在更暗和更亮的光级别之间变化的情况下。

进一步,完全HD(FHD,如1920x1080像素)OLED显示器会使用一个或多个双栅晶体管来减少关断电流。然而,在UHD OLED显示器中,当像素的尺寸减少时,例如,减少至800PPI(每英寸像素),会难以使用双栅晶体管,因为每个像素中存储电容器的面积减少,关断电流会进一步减少到不充分的级别。

发明内容

根据一个实施例,显示装置包括:基板;形成在所述基板上的扫描线和先前扫描线,所述扫描线传送扫描信号并且所述先前扫描信号传送先前扫描信号;与所述扫描线交叉的数据线和驱动电压线,所述数据线传送数据信号并且所述驱动电压线传送驱动电压;连接至所述扫描线、所述先前扫描线和所述数据线的开关晶体管;连接至所述开关晶体管的驱动晶体管;以及连接至所述驱动晶体管的有机发光二极管,其中所述开关晶体管包括在不同层上的第一开关栅电极和第二开关栅电极,并且其中所述先前扫描信号被传送至所述第一开关栅电极并且所述扫描信号被传送至所述第二开关栅电极。

所述第一开关栅电极和所述第二开关栅电极可与所述开关半导体层重叠。所述显示装置可包括在所述基板上的第一后向偏置线,其中所述第一开关栅电极是所述第一后向偏置线的一部分。

所述显示装置可包括:在所述第一后向偏置线之上的第一栅极绝缘层;在所述第一栅极绝缘层上的包括开关半导体层和驱动半导体层的半导体层;在所述半导体层之上的第二栅极绝缘层;以及在所述第二栅极绝缘层上并且在所述第二开关栅电极之上来与所述开关半导体层重叠的第三栅极绝缘层。所述第一开关栅电极可连接至所述先前扫描线,并且所述第二开关栅电极可以是所述扫描线的一部分。

所述第一后向偏置线和所述先前扫描线可在不同的层上,并且所述第一后向偏置线可通过在所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的接触孔连接至所述先前扫描线。初始化电压线可传送初始化电压来初始化所述驱动晶体管;并且初始化晶体管可基于所述先前扫描信号向所述驱动晶体管的驱动栅电极传送初始化电压。

所述初始化晶体管可包括在不同层上的第一初始化栅电极和第二初始化栅电极,并且所述第一初始化栅电极和所述第二初始化栅电极连接至所述先前扫描线。所述第一初始化栅电极可以是所述第一后向偏置线的一部分。

所述显示装置可包括补偿晶体管来基于所述扫描信号对所述驱动晶体管的阈值电压进行补偿。所述补偿晶体管可包括补偿栅电极,该补偿栅电极包括在不同层上的第一补偿栅电极和第二补偿栅电极,所述第一补偿栅电极和所述第二补偿栅电极连接至所述扫描线。

所述显示装置可包括与所述补偿晶体管的一部分重叠并且与所述第一后向偏置线形成在相同的层上的第二后向偏置线。所述第一补偿栅电极可以是所述第二后向偏置线的一部分。所述驱动半导体层具有至少一个曲线或弯曲。

所述显示装置可包括:存储电容器,包括与在所述第二栅极绝缘层上的所述驱动栅电极对应并且与所述驱动半导体层重叠的第一存储电容器板、以及在所述第一存储电容器板之上的所述第三栅极绝缘层上的第二存储电容器板。

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