[发明专利]LED衬底结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201410493639.8 | 申请日: | 2014-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN104201270B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
| 发明(设计)人: | 丁海生;马新刚;李东昇;李芳芳;江忠永 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 衬底 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种LED衬底结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成第一光刻胶;
对所述第一光刻胶执行光刻工艺,在所述衬底上形成呈周期性排布的多个光刻胶图形;
在每相邻两个光刻胶图形之间形成由透射材料形成的增透减反结构,以增加光的透射减少光的反射,所述增透减反结构的纵截面的上边长度大于下边长度;
去除所述多个光刻胶图形;
其中,在每相邻两个光刻胶图形之间形成由透射材料形成的增透减反结构包括:
形成由透射材料形成的透射材料层,所述透射材料层覆盖多个光刻胶图形及每相邻两个光刻胶图形之间的衬底;
在所述透射材料层表面形成一层第二光刻胶;
刻蚀所述第二光刻胶,直至部分透射材料层露出;
同比刻蚀所述第二光刻胶及透射材料层,直至第二光刻胶完全消除;
刻蚀部分透射材料层,直至所述多个光刻胶图形的表面露出。
2.如权利要求1所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述第一光刻胶为环氧基光刻胶或丙烯酸基光刻胶。
3.如权利要求1所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述增透减反结构的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,采用有机溶剂腐蚀去除所述多个光刻胶图形。
5.如权利要求4所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮、酒精或者剥离液中的一种或多种组合。
6.如权利要求1~5中任一项所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述增透减反结构的纵截面为倒梯形。
7.如权利要求1~5中任一项所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底。
8.一种LED衬底结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成第一光刻胶;
对所述第一光刻胶执行光刻工艺,在所述衬底上形成呈周期性排布的多个光刻胶图形;
在每相邻两个光刻胶图形之间形成由透射材料形成的增透减反结构,以增加光的透射减少光的反射,所述增透减反结构的纵截面的上边长度大于下边长度;
去除所述多个光刻胶图形;
其中,在每相邻两个光刻胶图形之间形成由透射材料形成的增透减反结构包括:
形成由透射材料形成的透射材料层,所述透射材料层覆盖多个光刻胶图形及每相邻两个光刻胶图形之间的衬底;
对所述透射材料层采用抛光工艺,直至所述多个光刻胶图形的表面露出。
9.如权利要求8所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述第一光刻胶为环氧基光刻胶或丙烯酸基光刻胶。
10.如权利要求8所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述增透减反结构的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
11.如权利要求8所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,采用有机溶剂腐蚀去除所述多个光刻胶图形。
12.如权利要求11所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述有机溶剂为丙酮、酒精或者剥离液中的一种或多种组合。
13.如权利要求8~12中任一项所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述增透减反结构的纵截面为倒梯形。
14.如权利要求8~12中任一项所述的LED衬底结构的制作方法,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底。
15.一种如权利要求1所述的LED衬底结构的制作方法制作的LED衬底结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上形成有由透射材料形成的增透减反结构,以增加光的透射减少光的反射,所述增透减反结构的纵截面的上边长度大于下边长度,且所述增透减反结构的纵截面的横向宽度至少包括两个不同的横向宽度值。
16.如权利要求15所述的LED衬底结构,其特征在于,所述增透减反结构的纵截面为倒梯形。
17.如权利要求15所述的LED衬底结构,其特征在于,所述增透减反结构的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
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