[发明专利]一种陶瓷基板抗氧化处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及抗氧化处理领域技术，尤其是指一种陶瓷基板抗氧化处理方法。 

背景技术

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。 

陶瓷基板在使用前需要进行化银处理，化银处理后需要进行抗氧化处理，目前对化银后的陶瓷基板进行抗氧化处理的方法多种多样，然而，由于它们的采用的物质以及温度及时间的控制不尽相同，导致抗氧化处理效果各异，目前还没有一种方法可实现对化银后的陶瓷基板实现很好的抗氧化处理效果。 

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种陶瓷基板抗氧化处理方法，其能有效解决现有之陶瓷基板抗氧化处理方法不可实现对化银后的陶瓷基板实现很好的抗氧化处理效果的问题。 

为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案： 

一种陶瓷基板抗氧化处理方法，包括有以下步骤：

（1）预浸：将化银后的陶瓷基板浸泡在第一纯水中，第一纯水的温度为40～50度，导电率≤10μS/cm，浸泡时间为180S；

（2）抗氧化：将陶瓷基板放入抗氧化溶液中浸泡，抗氧化溶液由70%体积的纯水和30%的抗氧化剂组成，抗氧化剂由以下重量配比的原料组成：苯骈咪唑28.5%～40.4%；柠檬酸钠19.6%～32.5%；磷酸三钠35.2%～45.4%；十二烷基硫酸钠1.2%～1.8%；抗氧化溶液的温度为52度，浸泡时间为30S；

（3）一道水洗：采用第二纯水对陶瓷基板进行水洗，第二纯水的温度为30～40度，导电率≤10μS/cm，水洗时间为30S；

（4）二道水洗：采用第三纯水对陶瓷基板进行水洗，第三纯水的温度为30～40度，导电率≤10μS/cm，水洗时间为30S；

（5）三道水洗：采用第四纯水对陶瓷基板进行水洗，第三纯水的温度为50～60度，导电率≤10μS/cm，水洗时间为60S；

（6）吹干烘干：使用温度小于60度的风将陶瓷基板吹干，然后，将陶瓷基板放入烘箱中烘干，烘烤温度为115～125度，烘烤时间为5min。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知： 

通过依上述步骤，利用本发明配方的抗氧化剂，并配合采用对应的溶液以及对温度和时间进行特定控制，从而对化银后的陶瓷基板进行了抗氧化处理，抗氧化处理后的陶瓷基板经过三氯化铁溶液检测无变色，抗氧化效果达标，实现了很好的抗氧化处理效果，本发明处理成本低，操作简单方便，值得推广使用。

附图说明

图1是本发明之较佳实施例的流程图。 

具体实施方式

本发明公开一种陶瓷基板抗氧化处理方法，如图1所示，包括有以下步骤： 

（1）预浸：将化银后的陶瓷基板浸泡在第一纯水中，第一纯水的温度为40～50度，导电率≤10μS/cm，浸泡时间为180S，以更好地清洗浸润陶瓷基板，为后续抗氧化剂与陶瓷基板的良好附着提供更有利条件。

（2）抗氧化：将陶瓷基板放入抗氧化溶液中浸泡，抗氧化溶液由70%体积的纯水和30%的抗氧化剂组成，抗氧化剂由以下重量配比的原料组成：苯骈咪唑28.5%～40.4%；柠檬酸钠19.6%～32.5%；磷酸三钠35.2%～45.4%；十二烷基硫酸钠1.2%～1.8%；抗氧化溶液的温度为52度，浸泡时间为30S；本发明中的抗氧化剂为一种不含铬酸盐溶液，其适用于化银后的表面处理，具有操作简单，浴寿命长，成本低廉的特点，经过抗氧化的陶瓷基板面进行信赖性测试时，不宜变色且同时维持良好的焊锡性。 

（3）一道水洗：采用第二纯水对陶瓷基板进行水洗，第二纯水的温度为30～40度，导电率≤10μS/cm，水洗时间为30S。 

（4）二道水洗：采用第三纯水对陶瓷基板进行水洗，第三纯水的温度为30～40度，导电率≤10μS/cm，水洗时间为30S。 

（5）三道水洗：采用第四纯水对陶瓷基板进行水洗，第三纯水的温度为50～60度，导电率≤10μS/cm，水洗时间为60S。