[发明专利]一种白光LED芯片及制备方法

权利要求书

1.一种白光LED芯片，其特征是，包含呈阵列分布的LED晶粒单元，相邻晶粒单元之间设置隔离沟槽，第一个晶粒单元和最末一个晶粒单元上设置键合焊盘，相邻晶粒单元的隔离沟槽内填充有绝缘材料，相邻晶粒单元之间进行电极桥接，键合焊盘之外的部分涂覆有荧光胶。

2.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征是，所述绝缘材料是SiO₂或SiNx，x为分数或自然数。

3.根据权利要求1所述的白光LED芯片，其特征是，所述电极桥接是在一个晶粒单元的P电极台面与该晶粒单元相邻的晶粒单元上的N电极台面之间覆盖一层透明导电氧化物，以实现相邻晶粒单元电性串接。

4.一种权利要求1所述白光LED芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：

(1)在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层和外延层，外延层从下到上依次包括n-GaN层、多量子阱发光层和p-GaN层；

(2)刻蚀外延层至蓝宝石衬底，使外延层上形成深至蓝宝石衬底的纵横交错的隔离沟槽，实现LED晶粒单元呈阵列分布；隔离沟槽在缓冲层和n-GaN层的宽度小于在多量子阱发光层和p-GaN层的宽度，在n-GaN层上形成一个用于制备N电极台面的平台；

(3)在每个晶粒单元上制备P电极台面和N电极台面，P电极台面制备在p-GaN层上，N电极台面制备在n-GaN层上；

(4)在隔离沟槽内除了N电极台面以外的部分以及每个晶粒单元的p-GaN层上除了P电极台面以外的部分淀积一层透明不导电材料，将相邻晶粒单元之间电性隔断；

(5)在第一个晶粒单元的P电极台面上以及相邻晶粒单元的N电极台面和P电极台面之间制备一层透明导电材料，将相邻的晶粒单元进行电性串接；

(6)在第一个晶粒单元的P电极台面上和最末一个晶粒单元的N电极台面上分别蒸镀一层厚度1-2μm的金属材料，用作芯片封装焊线的键合焊盘；

(7)在除了第一个晶粒单元和最末一个晶粒单元上的键合焊盘之外的整个芯片上表面涂覆荧光胶，包覆键合焊盘之外部分的表面，一方面起到钝化层保护不受外界污染造成漏电不良，另一方面能够直接制备获得芯片级白光LED。

5.根据权利要求4所述白光LED芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(4)中透明不导电材料的厚度为1200-1500埃。

6.根据权利要求4所述白光LED芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(5)中透明导电材料的厚度为2200-3000埃。

7.根据权利要求4所述白光LED芯片的制备方法，其特征是，所述步骤(6)中金属材料为厚度1-2μm的Au或Al。