[发明专利]导电元件结构和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在绝缘层和蚀刻停止层上方设置的金属层中形成凹槽，其中，所述蚀刻停止层设置在所述绝缘层上方；

在所述凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及

将所述金属层和所述金属衬里用作掩模，在所述绝缘层中蚀刻通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述凹槽的侧壁上选择性地形成所述金属衬里包括在所述凹槽的侧壁上选择性地镀金属。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述凹槽的侧壁上选择性地形成所述金属衬里包括在所述凹槽的侧壁上选择性地沉积金属并且氧化所述金属。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，氧化所述金属包括阳极金属氧化工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过去除所述凹槽的侧壁上的所述金属衬里和所述金属层的邻近所述金属衬里的部分来扩宽所述凹槽以形成扩宽的凹槽；

在所述扩宽的凹槽的侧壁上方选择性地形成金属间隔件；以及

将所述金属间隔件和所述金属层用作掩模，蚀刻邻近所述通孔的上部的所述绝缘层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述扩宽的凹槽的侧壁上选择性地形成所述金属间隔件包括在所述扩宽的凹槽的侧壁上选择性地沉积金属并且氧化所述金属。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，氧化所述金属包括阳极金属氧化工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述通孔内形成导电元件。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供在绝缘层和蚀刻停止层上方设置的金属层，所述金属层包括导电材料并且具有在所述金属层中形成的第一凹槽，所述蚀刻停止层设置在所述绝缘层上方；

通过在所述导电材料上但不在所述第一凹槽的底部上形成金属衬里使所述第一凹槽变窄以形成变窄的第一凹槽；以及

将所述变窄的第一凹槽延伸至所述绝缘层内。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述金属衬里包括在所述第一凹槽的侧壁上方但不在所述第一凹槽的底部上选择性地镀金属。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述金属衬里包括在所述第一凹槽的侧壁上方但不在所述第一凹槽的底部上选择性地沉积金属，并且氧化所述金属。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属衬里包括铝、钴、钛、钌和铜中的至少一种。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属层包括铝、钴、钛和铜中的至少一种。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属衬里的厚度在50埃至150埃的范围内。

15.根据权利要求9所述的方法，还包括：

扩宽所述变窄的第一凹槽以形成扩宽的第一凹槽并且同时在所述金属层中蚀刻与所述扩宽的第一凹槽横向分隔的第二凹槽；

在所述扩宽的第一凹槽的侧壁上方选择性地形成第一金属间隔件并且同时在所述第二凹槽的侧壁上方形成第二金属间隔件；以及

将所述第一金属间隔件、所述第二金属间隔件和所述金属层用作掩模，蚀刻所述绝缘层的部分。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一金属间隔件的厚度和所述第二金属间隔件的厚度在100埃至300埃的范围内。