[发明专利]电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有第一电介质，所述第一电介质内包含多个层叠的插指结构，每一所述插指结构均包括多个第一指状结构以及多个第二指状结构，在同一所述插指结构中，所述第一指状结构和第二指状结构相对交错排布；

对所述第一电介质进行刻蚀以形成多个凹槽，所述凹槽位于同一所述插指结构中的所述第一指状结构和第二指状结构之间；以及

在所述凹槽中填充第二电介质，所述第二电介质的介电常数大于所述第一电介质的介电常数。

2.如权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，对所述第一电介质进行刻蚀以形成多个凹槽的步骤包括：

在所述第一电介质上形成光阻，所述光阻暴露出所述第一指状结构和第二指状结构之间的所述第一电介质；

以所述光阻和顶层的所述插指结构为掩膜，对所述第一电介质进行刻蚀以形成多个凹槽。

3.如权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，对所述第一电介质进行刻蚀以形成多个凹槽的步骤包括：

在顶层的所述插指结构上形成一保护层，所述保护层仅覆盖所述顶层的所述插指结构；

在所述第一电介质上形成光阻，所述光阻暴露出所述第一指状结构和第二指状结构之间的所述第一电介质；

以所述光阻和保护层为掩膜，对所述第一电介质进行刻蚀以形成多个凹槽。

4.如权利要求3所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述插指结构的材料与所述保护层的材料相同。

5.如权利要求1～4中任意一种所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述第二电介质的介电常数大于7。

6.如权利要求1～4中任意一种所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述凹槽还位于相邻层的所述第一指状结构之间以及相邻层的所述第二指状结构之间。

7.一种电容器，包括：

衬底，所述衬底上具有第一电介质，所述第一电介质内包含多个层叠的插指结构，每一所述插指结构均包括多个第一指状结构以及多个第二指状结构，在同一所述插指结构中，所述第一指状结构和第二指状结构相对交错排布；

凹槽，形成于所述第一电介质内，并位于同一所述插指结构中的所述第一指状结构和第二指状结构之间；以及

第二电介质，填充于所述凹槽中，所述第二电介质的介电常数大于所述第一电介质的介电常数。

8.如权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述第二电介质的介电常数大于7。

9.如权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述凹槽还位于相邻层的所述第一指状结构之间以及相邻层的所述第二指状结构之间。

10.如权利要求7所述的电容器，其特征在于，所述插指结构的材料为金属。