[发明专利]液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置，包括：

第一基板；

第一取向层，布置在所述第一基板上；

第二基板，面向所述第一基板；

第二取向层，布置在所述第二基板上；以及

液晶层，布置在所述第一基板与所述第二基板之间，

其中，所述第一取向层和所述第二取向层的每一个包括主取向层和布置在所述主取向层上的取向形成层，并且通过聚合具有不同的光吸收峰值的反应性介晶来获得所述取向形成层。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述反应性介晶中的每一个具有以下式1：

[式1]

P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2，其中，

P1和P2独立地选自丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基和苯乙烯基，

Sp1、Sp2、Sp3和Sp4独立地选自单键、-CH₂-、-COO-、-CO-、CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH₂OCH₂-和–CH₂O-，

A1和A3独立地选自单键、环己基、苯基、苯硫基、多环芳基和其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH₃中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基；

A2选自环己基、苯基、苯硫基、多环芳烃基和其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH₃中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基，并且

m的范围为从1至4。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述反应性介晶包括：

第一反应性介晶，在第一波长处具有光吸收峰值；以及

第二反应性介晶，在比所述第一波长短的第二波长处具有光吸收峰值。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第一波长和所述第二波长在220nm至350nm的范围内。

5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第一反应性介晶选自由以下式2、式3和式4的化合物所组成的组：

[式2]

[式3]

以及

[式4]

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中，所述第二反应性介晶选自由以下式5、式6、式7和式8的化合物所组成的组：

[式5]

[式6]

[式7]

以及

[式8]

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括：

像素电极，布置在所述第一基板上；以及

公共电极，布置在所述第二基板上。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极包括主干和从所述主干延伸的分支。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中：

所述第一基板包括具有域的像素区；以及

所述分支在每个所述域中沿不同的方向延伸。

10.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括：

将液晶层布置在第一基板与第二基板之间；

向所述液晶层施加电场；

向所述液晶层施加第一光；以及

向所述液晶层施加具有比所述第一光短的波长的第二光，而不施加所述电场，

其中，所述液晶层的反应性介晶包括第一反应性介晶和第二反应性介晶，所述第一反应性介晶相比所述第二反应性介晶对所述第一光具有更大的反应活性。