[发明专利]双等离子体源反应器处理晶片中离子与中性物质比控制

权利要求书

1.一种用于蚀刻衬底的装置，其包括：

(a)反应室，

(b)位于所述反应室中由此将所述反应室划分成上子室和下子室的板组件，其中所述板组件包括：

(i)第一板，和

(ii)第二板，其包括能独立地相对于所述第一板旋转的至少两个同轴的板部，其中所述第一板和第二板具有延伸穿过各板的厚度的孔，

(c)连通到所述上子室的一个或多个气体入口，

(d)被设计或构造成从所述反应室中排出气体的、连通到所述反应室的一个或多个气体出口，和

(e)被设计或构造成在所述上子室中产生等离子体的等离子体发生源，

还包括控制器，所述控制器被设计或构造成使至少第一同轴板部相对于所述第一板运动以便确定所述第一板和第二板的孔的方位从而控制离子与自由基的通量比。

2.根据权利要求1所述的装置，包括至少三个为同轴的板部。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述板组件的至少一个板中的至少部分的所述孔具有在0.2-0.4之间的宽深比。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述板组件的至少一个板具有在40-60％之间的开放面积。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中所述第二板的所述板部包含绝缘材料，所述第一板包含导电材料。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中所述上子室被划分成被一个或多个绝缘壁隔离的多个同轴的等离子体区。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，还包括控制器，所述控制器被设计或构造成使所述同轴的板部中的一个或多个旋转以便控制所述衬底上的中心到边缘的蚀刻条件。

8.一种用于蚀刻衬底的装置，其包括：

(a)包括上子室和下子室的反应室，其中所述上子室包括至少两个同轴的等离子体区，其中通过一个或多个绝缘壁将每个等离子体区与其它等离子体区隔离；

(b)位于所述上子室和下子室之间且包括第一板和第二板的板组件，其中所述第一板和第二板具有延伸穿过各板的厚度的孔，并且其中所述第二板能相对于所述第一板旋转；

(c)连通到所述上子室的一个或多个气体入口；

(d)被设计或构造成从所述下子室中排出气体的连通到所述下子室的一个或多个气体出口；和

(e)被设计或构造成在所述上子室中产生等离子体的等离子体发生源，

还包括控制器，所述控制器被设计或构造成使所述第二板相对于所述第一板运动以便确定所述第一和第二板的孔的方位从而控制离子与自由基通量比。

9.根据权利要求8所述的装置，还包括平移致动机构，所述平移致动机构被设计或构造成使所述板组件的至少一个板朝向和远离所述板组件的其它板运动，使得所述第一板与第二板之间的距离是可变的。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述板组件的至少一个板中的至少一个被设计或构造成充当将气体输送至所述上子室或下子室的喷头。

11.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一板与第二板之间的距离是在1-6mm之间。

12.根据权利要求8所述的装置，其中所述板组件的至少一个板的厚度是在3-20mm之间。

13.根据权利要求8-12中任一项所述的装置，其中所述等离子体发生源被设计或构造成产生电感耦合等离子体。

14.根据权利要求8-12中任一项所述的装置，其中所述上子室包括至少三个为同轴的等离子体区。