[发明专利]图像拾取元件、制造图像拾取元件的方法以及电子设备

权利要求书

1.一种图像拾取元件，包括：

半导体基板，包括用于每个像素的光电转换部；

像素分隔凹槽，设置在该半导体基板中；以及

固定电荷膜，设置在该半导体基板的光接收表面侧，

其中该固定电荷膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，该第一绝缘膜从该光接收表面到该像素分隔凹槽的壁表面和底表面连续设置，并且该第二绝缘膜设置在该第一绝缘膜的一部分上，所述一部分至少对应于所述光接收表面。

2.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中所述一部分还对应于所述像素分隔凹槽的所述壁表面的一部分。

3.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中该第一绝缘膜和该第二绝缘膜的层数不同。

4.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中该第一绝缘膜包括两层，并且该第二绝缘膜包括一层。

5.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中，在该固定电荷膜中，该第一绝缘膜、该第二绝缘膜和该第一绝缘膜从该半导体基板侧依次形成。

6.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中，在该固定电荷膜中，该第一绝缘膜、该第一绝缘膜和该第二绝缘膜从该半导体基板侧依次形成。

7.根据权利要求2所述的图像拾取元件，其中该第二绝缘膜从该光接收表面到该像素分隔凹槽的该壁表面的一部分是连续的。

8.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中该第一绝缘膜和该第二绝缘膜的每一个由氧化铪(HfO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)和氧化钽(Ta₂O₅)的任何一个形成。

9.根据权利要求1所述的图像拾取元件，其中，所述图像拾取元件还包括位于所述像素分隔凹槽中的氧化硅膜。

10.根据权利要求9所述的图像拾取元件，其中，所述氧化硅膜延伸至所述半导体基板的表面。

11.一种制造图像拾取元件的方法，该方法包括

在包括用于每个像素的光电转换部且具有像素分隔凹槽的半导体基板的光接收表面上形成固定电荷膜，

其中，形成该固定电荷膜包括

形成从该光接收表面到该像素分隔凹槽的壁表面和底表面连续设置的第一绝缘膜，以及

形成设置在该第一绝缘膜的一部分上的第二绝缘膜，所述一部分至少对应于所述光接收表面。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述一部分还对应于所述像素分隔凹槽的所述壁表面的一部分。

13.根据权利要求11所述的方法，其中该第一绝缘膜通过原子层沉积或金属有机化学气相沉积形成。

14.根据权利要求11所述的方法，其中该第二绝缘膜通过物理气相沉积形成。

15.一种提供有图像拾取元件的电子设备，该图像拾取元件包括：

半导体基板，包括用于每个像素的光电转换部；

像素分隔凹槽，设置在该半导体基板中；以及

固定电荷膜，设置在该半导体基板的光接收表面侧，

其中该固定电荷膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，该第一绝缘膜从该光接收表面到该像素分隔凹槽的壁表面和底表面连续设置，并且该第二绝缘膜设置在该第一绝缘膜的至少对应于该光接收表面的一部分上。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其中所述一部分还对应于所述像素分隔凹槽的所述壁表面的一部分。