[发明专利]一种曲面CMOS图像传感器摄像模组

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种可提高光敏性及精简主镜头的曲面CMOS图像传感器摄像模组。

背景技术

现有技术下的CMOS图像传感器摄像模组包括两大组成部分：CMOS图像传感器以及主镜头。

图像传感器是将光信号转换为电信号的装置，在数字电视、可视通信等民用和商业范畴内已得到了广泛的应用。根据光电转换方式的不同，图像传感器通常可以分为电荷耦合器件图像传感器(Charge-coupled Device，CCD)和CMOS图像传感器(CMOS IMAGE SENSOR，CIS)两类。

对于CCD来说，一方面，在专业的科研和工业领域，具有高信噪比的CCD成为首选；另一方面，在高端摄影摄像领域，能提供高图像质量的CCD也颇受青睐。而对于CIS来说，在网络摄像头和手机拍照模块也得到了广泛应用。

CCD与CIS相比，前者功耗较高、集成难度较大，而后者功耗低、易集成且分辨率较高。虽然说，在图像质量方面CCD可能会优于CIS，但是，随着CIS技术的不断提高和CMOS制造工艺水平的大幅提升，一部分CIS的图像质量已经接近于同规格的CCD。CIS在性能上正在取得实质性的进展，并凭借其低成本、高效率、传输速度快等优势被广泛用于平板电脑、智能手机等各类新兴领域。伴随着照相手机等消费类电子领域对CIS的促进，未来的CMOS图像传感器的市场前景将更为广阔。小尺寸、高性能CIS的设计成为本领域研究的重要课题之一。

图像传感器一个直观的性能指标就是对图像的复现能力，而图像传感器的像素阵列就是直接关系到这一指标的关键性功能模块。现有技术中，CIS中的像素阵列采用有源像素传感器(Active Pixel Sensor，APS)作为其感光单元。一个APS(即一个像素单元)包括一个感光二极管(Photo Diode，PD)和一个有源放大器(Active Amplifier)。像素阵列可分为正面照射式(Front Side Illuminated，FSI)像素阵列和背照式(Back Side Illuminated，BSI)像素阵列。

请参阅图1，图1是现有技术的一种CMOS图像传感器的FSI像素阵列的结构剖面示意图。如图1所示，从剖面上看，像素阵列基本分为上中下三个平层，上层为滤镜层6，用来放置微透镜(Micro-lens)5和颜色滤镜(Color Filter)4。每个微透镜5为一个凸透镜，用于对入射光进行聚焦；颜色滤镜4通常按Bayer模式排列构成颜色滤镜阵列。滤镜层6下方对应一个金属层7的光通道3、感光层(又称PD层)9的光通道2及PD1。中层为金属层7，基质为氧化硅材料，放置有多层金属布线8(图示为4层)，并以电连接方式形成电路结构，用来传递电信号，相邻金属布线之间的空隙形成光通道3，入射光可从此光通道3穿过到达PD1。下层为PD层9，基质材料为硅，用来放置PD1，PD层9的光通道2与金属层7的光通道3连通并对准。微透镜5用来聚集光线，入射光(如图中空心箭头所指)通过滤镜层6依次进入金属层光通道3、PD层光通道2到达下层的PD1，PD1遇光子发生光电效应，再传出电信号，数字处理流程中的颜色插值算法将PD采集到的RAW数据还原为彩色图像。在FSI像素阵列的结构中，当入射光通过光通道时，由于其中的金属层有很多层金属布线，部分光线将被反射掉(如图中实心箭头所指)，使得光强受到损失，导致成像质量受到影响。

请参阅图2，图2是现有技术的一种CMOS图像传感器的BSI像素阵列的结构剖面示意图。如图2所示，与FSI像素阵列不同的是，在BSI像素阵列的结构中，自上而下依次为滤镜层14、PD层15、金属层16三个平层，金属层16位于PD层15的下方。滤镜层14用来放置微透镜13和颜色滤镜12，每个微透镜13为一个凸透镜，其下方对应一个PD层15的光通道11及PD10。入射光(如图中空心箭头所指)将只需通过PD层15的光通道11直接到达PD10，而不必通过金属层16，缩短了光通道。因此，在BSI像素阵列的结构中不会发生入射光与金属层16的反射作用。同时，由于光通道不需要因为金属层16的金属布线17而腾挪空间，使相邻像素间的距离可以适当缩短。BSI像素阵列结构的问题在于，相比FSI像素阵列，虽然可通过缩短的光通道来提高其像素阵列的光敏性，但当相邻像素间的距离过于缩短之后，像素间的串扰(crosstalk)将变得明显(如图中实心箭头所指)，造成彩色图像的褪色现象。