[发明专利]一种叉指型背接触电池的制作方法

权利要求书

1.一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：

1)利用化学刻蚀对N型单晶硅片进行单面制绒、单面抛光预处理；

2)用丝网印刷在预处理后的硅片制绒面印刷磷掺杂浆料，然后在空气氛围中120～160℃烘干8～12min；

3)用丝网印刷在硅片抛光面需要进行磷掺杂的区域再次印刷磷含量80wt％～100wt％的掺磷浆料，然后在空气氛围中120～160℃烘干8～12min；

4)烘干后的硅片在N₂环境中于800～1000℃热处理20～40min，使制绒面和抛光面印刷区域形成n⁺掺杂层；

5)在硅片抛光面需要进行硼掺杂的区域印刷硼掺杂浆料，然后在空气氛围中120～160℃烘干8～12min；

6)烘干后的硅片在N₂环境中800～1000℃下热处理20～40min，形成p⁺掺杂层；

7)将硅片放入8wt％～10wt％的HF溶液中室温下反应8～10s，去除掺杂浆料热处理后在硅片表面形成的SiO₂层，再用去离子水洗净烘干；

8)烘干后的硅片在O₂环境中1000～1200℃下氧化20～40min，使硅片双面形成SiO₂钝化层；

9)用PECVD方法在氧化后的硅片两面沉积SiN_x钝化层；

10)用激光处理硅片抛光面p⁺和n⁺掺杂区域，打开SiO₂/SiNx钝化层使p⁺和n⁺掺杂层和电极具有良好的接触性；

11)激光处理后的硅片经丝网印刷金属浆料形成接触电极；

12)印刷后的硅片进行烧结形成良好的电极接触，即制备得到叉指型背接触电池。

2.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，步骤1)的预处理采用以下步骤：

a、将N型单晶硅片放入5～8wt％的KOH或NaOH水溶液中，60～80℃下静置反应400～600s进行硅片表面抛光处理；

b、清洗甩干后在硅片的一面沉积腌膜层或用涂覆耐蚀浆料的方法在硅片表面形成一层耐刻蚀层；将单面腌膜后的硅片进行在1.5～2.0wt％KOH、0.2～0.5wt％碱制绒添加剂混合溶液中50～85℃下反应1000～1700s进行单面制绒处理，制绒后进行去腌膜处理，充分清洗并烘干。

3.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，步骤9)中所述的SiN_x钝化层厚度为80～100nm。

4.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中所述的磷掺杂浆料主要成分为磷源、SiO₂前躯体和有机溶剂。

5.根据权利要求4所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，所述的磷源为纳米P₂O₅颗粒，所述的SiO₂前躯体为纳米SiO₂颗粒或有机氧硅烷，所述的有机溶剂为松油醇或IPA。

6.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，步骤3)中所述的掺磷浆料主要成分为纳米P₂O₅颗粒，纳米SiO₂颗粒或有机氧硅烷，松油醇或IPA。

7.根据权利要求1所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，步骤5)中所述的硼掺杂浆料主要成分为硼源、有机粘合剂和有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的一种叉指型背接触电池的制作方法，其特征在于，所述的硼源为纳米P₂O₅颗粒，所述的有机粘合剂为纳米SiO₂颗粒或有机氧硅烷，所述的有机溶剂为松油醇或IPA。