[发明专利]光致抗蚀剂组合物

说明书

本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：具有酸不稳定基团的树脂；酸生成剂；具有硫醚键和巯基的化合物；和溶剂。

本申请要求在2013年9月24日在日本提交的基于35U.S.C.§119(a)的专利申请2013-196744的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用结合在此。

技术领域

本发明涉及光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。

背景技术

在通过半导体芯片用薄膜安装插脚的过程中，在基板上配置作为具有4至150μm高度的突起的电极。

对于用于制备突起的光致抗蚀剂组合物，JP2011-75864A1提到一种光致抗蚀剂组合物，其包含含有源自对羟基苯乙烯的结构单元的树脂。JP2004-347951A1提到一种光致抗蚀剂组合物，其包含1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇或1-硫代甘油。

发明内容

本申请给出如下方面的发明。

[1]一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：

具有酸不稳定基团的树脂；

酸生成剂；

具有硫醚键和巯基的化合物；和

溶剂。

[2]根据[1]所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述化合物是具有硫醚键和巯基的杂环化合物。

[3]根据[2]所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述杂环化合物是由式(IA)表示的：

其中Rⁱ¹表示氢原子、-SR¹、-NR²R³、C1-C10脂族烃基、C3-C18脂环烃基，或C6-C14芳香族烃基；

R¹表示氢原子、C1-C12酰基、C1-C10脂族烃基、C3-C10脂环烃基，或C6-C14芳香族烃基，

R²和R³各自独立地表示氢原子、其中氢原子可以被羟基代替的C1-C12酰基、其中氢原子可以被羟基代替的C1-C10脂族烃基、其中氢原子可以被羟基代替的C3-C10脂环烃基，或其中氢原子可以被羟基代替的C6-C14芳香族烃基；

Rⁱ²和Rⁱ³各自独立地表示氢原子、C1-C10脂族烃基、C3-C18脂环烃基，或C6-C14芳香族烃基；

A和B各自独立地表示氮原子或碳原子；并且

“n”和“m”各自独立地表示0或1。

[4]根据[1]所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述化合物是在侧链包括具有硫醚键和巯基的部分的聚合物。

[5]根据[1]至[4]中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂具有由式(1)或(2)表示的基团：

其中R^a1、R^a2和R^a3各自独立地表示C1-C8烷基或C3-C20脂环烃基，或者

R^a1、R^a2和R^a3中的两个彼此连接以形成C2-C20二价烃基并且另一个是C1-C8烷基或C3-C20脂环烃基，并且*表示结合位置；