[发明专利]具有无间隙微透镜的图像传感器有效
| 申请号: | 201410478750.X | 申请日: | 2014-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN104952891B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
| 发明(设计)人: | 李津;钱胤;陈刚;戴森·H·戴;杨大江 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 齐杨 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 间隙 透镜 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其包括:
多个光敏装置,其布置在半导体衬底中;
平面层,其安置在所述半导体衬底中的所述多个光敏装置上;
多个第一微透镜,其由透镜材料组成且布置在所述平面层上的第一透镜区域中;
多个透镜阻隔物,其由所述透镜材料组成且布置在所述平面层上以提供界定所述平面层上的第二透镜区域的边界;及
多个第二微透镜,其由所述透镜材料组成且形成在由界定所述平面层上的所述第二透镜区域的所述多个透镜阻隔物提供的所述边界内,其中所述多个透镜阻隔物在所述多个第二微透镜的回焊过程之后集成在相应第二微透镜内,其中所述第二微透镜包括绿色第二透镜区域、红色第二透镜区域以及蓝色第二透镜区域。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个第一微透镜、所述多个透镜阻隔物及所述多个第二微透镜的所述透镜材料为相同透镜材料且具有相同折射率。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述透镜材料具有不同于所述平面层的折射率。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个第一微透镜中的每一者及所述多个第二微透镜中的每一者通过所述平面层光学耦合到所述多个光敏装置中的一对应者。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个第一微透镜中的每一者及所述多个透镜阻隔物中的每一者包含相应圆顶,所述圆顶具有在第一回焊过程期间形成的相应弯曲。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述多个第二微透镜中的每一者包含相应圆顶,所述圆顶具有在所述第一回焊过程之后发生的第二回焊过程期间形成的相应弯曲,其中所述多个第二微透镜的所述回焊过程在所述第二回焊过程期间发生。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述多个透镜阻隔物布置成接近于在所述平面层上的两个第二透镜区域之间界定的边界。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述多个透镜阻隔物布置在所述平面层上的第一色彩的第二透镜区域内。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其中所述多个透镜阻隔物成对布置在所述平面层上,其中所述对透镜阻隔物中的每一者提供接近于所述平面层上的相应第二透镜区域的一部分的对应边界。
10.一种成像系统,其包括:
像素阵列,其包含安置在半导体衬底中的多个光敏装置;
平面层,其安置在所述半导体衬底中的所述多个光敏装置上;
多个第一微透镜,其由透镜材料组成且布置在所述平面层上的第一透镜区域中;
多个透镜阻隔物,其由所述透镜材料组成且布置在所述平面层上以提供界定所述平面层上的第二透镜区域的边界;
多个第二微透镜,其由所述透镜材料组成且形成在由界定所述平面层上的所述第二透镜区域的所述多个透镜阻隔物提供的所述边界内,其中所述多个透镜阻隔物在所述多个第二微透镜的回焊过程之后集成在相应第二微透镜内,其中所述第二微透镜包括绿色第二透镜区域、红色第二透镜区域以及蓝色第二透镜区域;
控制电路,其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作;及
读出电路,其耦合到所述像素阵列以从所述像素阵列读出图像数据。
11.根据权利要求10所述的成像系统,其进一步包括功能逻辑,所述功能逻辑耦合到所述读出电路以存储从所述像素阵列读出的所述图像数据。
12.根据权利要求10所述的成像系统,其中所述多个第一微透镜、所述多个透镜阻隔物及所述多个第二微透镜的所述透镜材料为相同透镜材料且具有相同折射率。
13.根据权利要求10所述的成像系统,其中所述透镜材料具有不同于所述平面层的折射率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410478750.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构的制造方法
- 下一篇:显示用基板的外围电路、显示用基板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





