[发明专利]一种集成化的微型富集器系统及其制造方法有效
申请号: | 201410478682.7 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN104181260A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 孙建海;崔大付;张璐璐;陈兴 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01N30/08 | 分类号: | G01N30/08;G01N30/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成化 微型 富集 系统 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及富集器技术领域,更具体地,涉及一种集成化的微型富集器系统及其制造方法。
背景技术
在环境空气质量监测、装备内环境监测、智能电网故障诊断以及石油勘探等现场气体样品快速检测中,由于样品大多潮湿、组分浓度低并含有大量的粉尘污染物,直接对样品进行检测分析,很难实现有效识别,而且也容易造成分离色谱柱及检测器的污染。因此,在对样品分析之前,必须进行样品的预处理:去除样品中的水蒸气、尘埃以及提高样品中各组分浓度。
富集器的功能是实现对样品中各组分的富集,提高各组分的浓度,从而提高检测仪对低浓度样品的检测能力,是实现低浓度样品分析检测的前提。
在现有的富集技术中,既有传统的管式富集器,也有微型化的富集器,前者一般应用在实验室中,而后者多用在现场分析中。
传统富集器,绝大部分是在金属管内填充吸附材料,外面缠绕加热器。这种富集器由于体积大,热解吸过程中升温速度慢,因此其富集率一般比较小,色谱峰展宽比较厉害,而且其功耗高,不易于便携式色谱仪集成,极大的限制了其应用。
采用MEMS(Micro-electro-mechanical-system,微电子机械系统,简称MEMS)技术制备的微型气体富集器与传统的富集器相比,由于热容量及体积小,能在更小的功耗下获得更快的升温速率,从而显著地提高富集效率。如图1所示,如弗吉尼亚州立工学院研制的一种立柱阵列结构的微富集器,是利用深刻蚀工艺刻蚀出长方形微形立柱阵列,相邻的立柱彼此垂直,构成十字柱阵列,以此来增加吸附材料的容量及气流在富集器分布的一致性。Pt加热器制备在硅片的背面,而正面用阳极键合玻璃进行密封。吸附剂采用Tenax-TA,利用喷墨打印的方法涂覆在立柱的表面。这种微型富集器的优点在于对某些特定气体的富集率比较高,但其缺陷在于:
1、这种微型富集器,由于沟道尺寸小,一般的固体吸附材料(粉末状,颗粒直径在60-120目)很难进入富集器沟道内,因此这种微型富集器可涂覆的吸附材料类型有限,这就限制了其应用领域;
2、这种微型富集器,虽然通过设置微型立柱的方式增大了微型富集器沟道的总面积,但这种富集器,其沟道的深度一般在100-200微米,可涂覆的吸附材料总量有限,限制了可富集的气体样品容量;
3、这种富集器功能比较单一,仅仅具备富集功能,不具备对复杂样品的干燥,粉尘过滤功能;
4、这种富集器,控制色谱峰展宽的能力较差,而且容易造成色谱峰拖尾的现象。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供一种集成化的微型富集器系统,以实现大样品容量、低功耗的样品的多功能富集处理。
为了实现上述目的,作为本发明的一个方面,本发明提供了一种集成化的微型富集器系统,包括干燥与净化器1和微型富集器2,其中所述干燥与净化器1包括干燥器和净化器,以及所述干燥与净化器1集成在所述微型富集器2之前。
其中,所述微型富集器2基于MEMS技术,利用硅基与玻璃基底加工而成;所述微型富集器2采用多通道、大通径的并行结构;以及所述微型富集器沟道的长度为0.1m-0.5m,优选为0.2m;宽度为0.4mm-1mm,优选为0.8mm;所述硅基底和玻璃基底上沟道的深度为0.3mm-0.5mm,优选为0.4mm,所述硅基底和玻璃基底密封后,沟道总深度为0.5mm-1mm,优选为0.8mm。
其中,所述微型富集器2沟道的宽度和深度大于等于2~3倍单个吸附材料的颗粒直径。
其中,所述微型富集器2内填充有吸附材料,以及所述吸附材料是碳纳米管、Tenax-TA或Carbopack X。
其中,在所述微型富集器2的出口端设置有微型过滤器。
其中,基于MEMS技术,在所述干燥器的沟道内加工出了两种不同结构的微型立柱,一种用于将液滴快速击碎雾化,另一种用于将雾化后的微细液滴快速汽化。
其中,所述干燥器内的微型立柱是矩形、箭头形或圆形。
其中,所述净化器与所述干燥器在同一基底上,通过同一工艺加工而成,以及所述净化器的沟道内填充了吸收材料。
其中,所述净化器内的吸收材料是活性炭、分子筛或5A。
其中,所述干燥与净化器1和所述微型富集器2沟道的形成方法是化学腐蚀、深刻蚀或激光刻蚀。
其中,在所述微型富集器2所在硅基底的下表面集成了微型加热器4。
其中,所述微型加热器4能在1分钟内将所述干燥器的温度升高到200℃。
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