[发明专利]自粘合裸片有效
| 申请号: | 201410478610.2 | 申请日: | 2014-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN104465533B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
| 发明(设计)人: | 张荣伟 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
| 主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 粘合 | ||
1.一种半导体封装,其包括:
半导体裸片,其包含有源侧及相对的背侧,所述相对的背侧成形为多个纳米线,多个腔位于所述多个纳米线之间;以及
衬底,其具有第一侧,所述半导体裸片的所述相对的背侧附着到所述衬底的所述第一侧。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个纳米线是含硅的。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述半导体裸片通过所述多个纳米线被压合到所述衬底的所述第一侧。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个纳米线中每一者的直径在10纳米与1微米之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述多个纳米线中每一者的长度小于20μm。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述衬底是压层。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,所述多个纳米线包含基于胺的硅烷偶联剂、基于硫的硅烷偶联剂以及基于磷的硅烷偶联剂中的一者。
8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述衬底为引线框架。
9.根据权利要求8所述的半导体封装,其中所述引线框架包含裸片附着垫,所述半导体裸片的所述相对的背侧附着到所述裸片附着垫。
10.根据权利要求8所述的半导体封装,其中所述引线框架包含与所述多个纳米线接触的经粗糙化表面。
11.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述半导体裸片的所述相对的背侧通过金属辅助化学蚀刻被成形为多个纳米线。
12.一种将半导体裸片附着到衬底的方法,其包括以下步骤:
提供含有集成电路的半导体晶片,其中所述晶片具有顶侧及背侧;
在所述晶片的所述背侧上印刷含有金属纳米粒子的油墨;
使用金属辅助蚀刻在所述晶片的所述背侧上蚀刻多个腔以形成多个硅纳米线;
将所述半导体晶片分离成个别集成电路裸片;
提供具有带有裸片附着垫的顶侧以及背侧的衬底;
在维持集成电路裸片的顶表面与所述衬底的顶表面平行的同时将所述裸片的所述背侧定位于所述裸片附着垫上;以及
通过所述硅纳米线使用在0.01兆帕MPa与1MPa之间的压力将所述集成电路裸片附着到所述衬底。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述金属纳米粒子选自铂Pt、金Au或银Ag的群组。
14.根据权利要求12所述的方法,其中通过选自锯割、划线以及折断或激光切割的方法来实现所述将所述半导体晶片分离成个别集成电路裸片。
15.根据权利要求12所述的方法,其中所述硅纳米线的直径在10纳米与1微米之间且长度小于20μm。
16.根据权利要求12所述的方法,其中所述衬底选自引线框架、压层或陶瓷封装的群组。
17.根据权利要求12所述的方法,其中通过范德华力实现所述将所述集成电路裸片附着到所述衬底。
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