[发明专利]嵌入式芯片的制造方法

权利要求书

1.一种制造嵌入式芯片封装体的方法，包括：

获得芯片插座的蜂窝状阵列，使得每个芯片插座被框架所包围，所述框架具有第一聚合物的聚合物基质和从围绕每个插座的所述框架中穿过的至少一个通孔柱；

将具有框架的所述阵列放置在透明胶带上，使得该蜂窝状阵列的底面接触所述透明胶带；

将芯片以端子朝下的方式设置在每个芯片插座中，使得所述芯片的底面接触所述透明胶带；

利用透过所述胶带的光学成像，将所述芯片与所述通孔柱对准；

在所述阵列的所述芯片上及周围施加封装材料，并固化所述封装材料，以将所述芯片的五个面嵌入；

对所述封装材料进行减薄和平坦化，以暴露出在所述阵列的顶面上的所述通孔的上端；

移除所述透明胶带；

在所述蜂窝状阵列的所述底面和所述芯片的所述底面上施加导体特征结构层，以将每个芯片的至少一个端子与至少一个通孔接合；

在所述蜂窝状阵列的顶面上施加导体特征结构层，使得至少一个导体从通孔延伸且至少部分地越过每个芯片；和

切割所述阵列以形成包括至少一个嵌入式芯片的分隔的芯片，所述至少一个嵌入式芯片具有接合至所述芯片附近的通孔的接触焊盘。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述阵列包括长方形单元的阵列。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述芯片包括模拟处理器、数字处理器、传感器、滤波器和存储器中的至少一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述框架包括在所述第一聚合物中的玻璃纤维增强体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述框架包括在所述第一聚合物中的织造玻璃纤维束。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述封装材料包括第二聚合物基质。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述封装材料包括模塑料。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述封装材料包括至少一种聚合物片材，其敷设在所述框架和所述芯片上并进行热压。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述封装材料还包括颗粒填料和短纤维填料中的至少一种。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述芯片插座的阵列通过以下步骤制造：

获得牺牲载体；

布设光刻胶层；

图案化所述光刻胶，使其具有铜通孔栅格；

在所述栅格中镀覆铜通孔柱；

剥除光刻胶；

用聚合物电介质层压所述铜通孔柱；

对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化，以暴露出铜通孔的端部；

移除所述载体；以及

在所述聚合物电介质中机械加工出芯片插座。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述牺牲载体是铜载体，其通过将铜溶解而被移除。

12.如权利要求10所述的方法，还包括在沉积铜通孔之前，在所述载体上施加蚀刻阻挡层。

13.如权利要求10所述的方法，其中在蚀刻掉铜载体的同时，利用蚀刻阻挡材料保护具有暴露的铜通孔端部的平坦化聚合物电介质。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述蚀刻阻挡材料是光刻胶。

15.如权利要求10所述的方法，其中所述聚合物电介质还包括织造玻璃纤维束，并作为预成型体施加并随后固化。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述芯片插座的阵列通过以下步骤制造：

获得牺牲载体；

布设光刻胶层；

图案化所述光刻胶，使其具有铜通孔栅格和插座阵列；

在所述栅格和所述阵列中镀覆铜通孔柱；

剥除光刻胶；

用聚合物电介质层压所述铜通孔柱和所述阵列；

对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化，以暴露出铜通孔的端部和所述阵列；

遮蔽所述铜通孔的端部，并选择性溶解所述阵列以形成插座；以及

移除所述载体。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述蜂窝状阵列通过以下步骤制造：

获得包括覆铜聚合物基质的基板；

钻出导通孔阵列；

在所述导通孔内电镀铜；

移除覆铜层，以及

在整个基板上机械加工出插座。