[发明专利]一种利用温室大棚栽培草菇的培养工艺

权利要求书

1.一种利用温室大棚栽培草菇的培养工艺，其特征在于，该培养工艺包括：

步骤1：将配比好的栽培料在室外进行堆制，堆高1.2-1.4米，堆的长度和宽度视场地情况而定，建堆结束后立即进行喷淋发酵，喷淋3-5天，发酵3-5天后翻堆；

步骤2：将发酵好的栽培料及时装入栽培箱内，将栽培箱移入大棚；

步骤3：发酵结束后，待栽培料的料温降至35℃时播种，播种结束后控制料温为28-35℃，空气相对湿度在85%以上，利于菌丝萌发和生长；

步骤4：发菌4-6天后，料块上开始出现菇蕾，此时降低温室内的温度到28-32℃之间，湿度增加到90%，菇蕾经过4-5天的生长后达到采收阶段。

2.根据权利要求1所述的利用温室大棚栽培草菇的培养工艺，其特征在于，步骤1中的所述翻堆的方法为：把下面的料翻到上面，四边的料翻到中间，中间的料则翻到外面，注意将干料湿料混匀、抖松，进行第2次堆制，以利于发酵均匀，翻堆2-3次即可。

3.根据权利要求1或2所述的利用温室大棚栽培草菇的培养工艺，其特征在于，该培养工艺的步骤4之后，该培养工艺还包括：

步骤5：草菇栽培结束后，将栽培料直接还田。