[发明专利]一种像素电路

说明书

技术领域

本发明涉及显示驱动技术，尤其是涉及一种像素电路。

背景技术

中国专利申请CN201110376530.2提出一种像素电路。其中，本申请的图1～图3即CN201110376530.2的图1～图3，用于描述现有像素电路的电路结构及工作原理。

结合图1所示，所述的像素电路包括驱动单元10、开关单元20、储能单元30以及有机发光二极管OLED 40。结合图2所示，在现有像素电路的一个实施例中，驱动单元10为多晶硅晶体管T1，开关单元20包括非晶硅晶体管T2，储能单元30为连接在多晶硅晶体管T1的栅极与源极之间的电容Cs，其中，多晶硅晶体管T1的源极与电源电压VDD相连、漏极连接有机发光二极管OLED、栅极连接非晶硅晶体管T2的漏极。在该实施例中，多晶硅晶体管T1作为驱动晶体管，其作用在于提供驱动有机发光二极管OLED工作的电流信号；非晶硅晶体管T2作为开关晶体管，行扫描信号施加在非晶硅晶体管T2的栅极，以控制施加在非晶硅晶体管T2的源极上的数据电压(DATA)的流通；由电容Cs以电压形式对数据电压进行存储，即电容Cs控制和保持数据电压的稳定，进而保持屏体在一帧时间内亮度保持不变。

在一个扫描帧内，即行扫描信号为高电平的过程中，多晶硅晶体管T1保持在饱和状态，所以流过有机发光二极管OLED的电流I_OLED如公式(1)

IOLED=12μXCoxWL(USG-UTH)---(1)]]>

其中，μ_X为多晶硅晶体管T1的载流子迁移率，C_ox为多晶硅晶体管T1的栅氧化层单位面积电容，为TFT显示屏的宽度(W)与长度(L)之比，U_SG为驱动多晶硅晶体管T1的源极与栅极之间的电压差，U_TH为驱动多晶硅晶体管T1的阈值电压。

由此可见，流过有机发光二极管OLED的电流与作为驱动单元的多晶硅晶体管T1的阈值电压U_TH有着紧密的关系，若每个像素的阈值电压U_TH不同，则流过有机发光二极管OLED的电流就会有变化，而TFT显示屏中每个像素电路中各个多晶硅晶体管T1的阈值电压、载流子迁移率和串联电阻并不一致，从而导致整个TFT显示屏的显示不均匀，即TFT显示屏的输出特性具有很大的分散性，存在发光(显示)不均匀的缺陷。

发明内容

为克服现有TFT显示屏的显示不均匀的技术缺陷，本发明提出一种电路结构简单的像素电路，使用该像素电路能使TFT显示屏的显示具有一致性。

本发明采用如下技术方案实现：一种像素电路，包括驱动单元、开关单元、连接在驱动单元的控制端与输出端之间的储能单元以及连接驱动单元输出端的有机发光二极管OLED，开关单元具体包括第二开关元件T2至第五开关元件T5；

第二开关元件T2的控制端与输出端均与驱动单元的控制端相连；

第三开关元件T3的输出端与第二开关元件T2的输入端相连，第三开关元件T3的控制端和输入端分别接第二行扫描信号和数据电压；

第四开关元件T4的控制端和输入端分别接第一行扫描信号和参考电压，第四开关元件T4的输出端与第二开关元件T2的控制端相连；

第五开关元件T5的输入端和输出端分别与驱动单元的控制端与输出端相连，第五开关元件T5的控制端接第一行扫描信号。

其中，第二开关元件T2为非晶硅晶体管，第二开关元件T2的控制端、输入端及输出端分别为非晶硅晶体管的栅极、源极及漏极。