[发明专利]OLED器件封装结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201410475529.9 | 申请日: | 2014-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN104300091B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 徐德智 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 器件 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED器件封装结构,包括上、下基板,所述上、下基板之间设有OLED工作层,所述OLED工作层表面设有封装层,所述封装层分别与所述上、下基板的内表面贴合,其特征在于,所述上、下基板的外表面均设有水汽阻挡层。
2.根据权利要求1所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述水汽阻挡层包括与所述上基板或下基板贴合的微米结构层,所述微米结构层上设有阵列图形,所述阵列图形上覆盖有具有防水功能的纳米结构层。
3.根据权利要求2所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述阵列图形为凹凸结构;所述凹凸结构包括凹槽,所述凹槽的纵向内表面为矩形或梯形。
4.根据权利要求3所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述微米结构层的材质为聚丙烯酸酯类材料,所述聚丙烯酸酯材料包括负性聚丙烯酸酯类有机膜材料。
5.根据权利要求2-4任一项所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述纳米结构层为聚苯乙烯颗粒涂层或经过疏水化处理的二氧化硅颗粒涂层。
6.根据权利要求5所述的OLED器件封装结构,其特征在于,所述上、下基板均为柔性聚合物材质的柔性基板。
7.根据权利要求6所述的OLED器件封装结构,所述柔性基板的材质为PET或PBT。
8.一种制作上述权利要求5-7任一项所述的OLED器件封装结构的方法,其特征在于,在所述上、下基板的外表面均制作所述水汽阻挡层包括以下步骤:
第一,选用负性聚丙烯酸酯类有机膜材料制作微米结构层,再通过光刻工艺或面内印刷工艺在所述微米结构层上得到所述阵列图形;
第二,通过原位乳液聚合的方法得到聚苯乙烯乳液,将所述聚苯乙烯乳液涂覆在所述阵列图形的表面生成聚苯乙烯颗粒;
或者,选用二氧化硅通过等离子体-化学气相沉积的方法将二氧化硅颗粒镀膜所述阵列图形的表面。
9.根据权利要求8所述的制作OLED器件封装结构的方法,其特征在于,通过原位乳液聚合的方法得到聚苯乙烯乳液,将所述聚苯乙烯乳液涂覆在所述阵列图形的表面生成聚苯乙烯颗粒包括以下步骤:
将100份苯乙烯、6份丙烯酸和1000份蒸馏水的混合物加入配有回流冷凝管、温度计、搅拌器的四颈烧瓶中;进行搅拌,搅拌速率为300 rpm,搅拌过程中通氮气2分钟;加入1份过硫酸钾引发剂;然后在氮气保护下、70℃水浴中反应30分钟得到聚苯乙烯乳液;将反应得到的所述聚苯乙烯乳液通过旋转涂覆的方法均匀覆盖在所述阵列图形上,真空干燥时间30秒,真空干燥温度为50℃,真空值为26Pa;
选用二氧化硅通过等离子体-化学气相沉积的方法将二氧化硅颗粒镀膜所述阵列图形的表面包括以下步骤:
将镀有二氧化硅基板经过1.0 wt%硅烷偶联剂的正己烷溶液中化学改性1分钟得到超疏水性界面。
10.根据权利要求9所述的制作OLED器件封装结构的方法,其特征在于,硅烷偶联剂包括γ-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、γ-缩水甘油丙基-三甲氧基硅烷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410475529.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高效率变压器
- 下一篇:蒸发内冷式多芯电缆循环系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





