[发明专利]用于清洗金属残留物的方法和溶液

权利要求书

1.一种用于处理半导体器件的溶液，其包含：

活化剂，所述活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N-二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4-吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种；和

蚀刻剂，所述蚀刻剂包括二氯亚砜(SOCl₂)、Cl₂、Br₂、I₂、SOF₂、SOF₄、SO₂Cl₂、SOBr₂、S₂O₆F₂、HSO₃F、或C₂Cl₄O₂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的溶液，其还包含稀释剂。

3.根据权利要求2所述的溶液，其中所述稀释剂包括乙腈、DMSO、环丁砜、卤代烃溶剂、醇类或其它惰性溶剂中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的溶液，其中所述稀释剂中没有H₂O、丙酮、和醛。

5.根据权利要求2所述的溶液，其中所述溶液是液体。

6.根据权利要求1所述的溶液，其中所述溶液是蒸气。

7.根据权利要求1所述的溶液，其中所述活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N-二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、或4-吡啶硫醇中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的溶液，其中所述蚀刻剂包括Cl₂、Br₂、I₂、SOF₂、SOF₄、SOCl₂、SO₂Cl₂、SOBr₂、S₂O₆F₂、HSO₃F或C₂Cl₄O₂中的至少一种。

9.一种用于在具有至少一个金属层的衬底上形成半导体器件的方法，包括使所述至少一个金属层暴露于溶液，所述溶液包含：

活化剂，所述活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N-二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4-吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种；和

蚀刻剂，所述蚀刻剂包括二氯亚砜、Cl₂、Br₂、I₂、SOF₂、SOF₄、SO₂Cl₂、SOBr₂、S₂O₆F₂、HSO₃F或C₂Cl₄O₂中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述溶液还包含稀释剂，所述稀释剂包括乙腈、DMSO、环丁砜、卤代烃溶剂、或醇中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括提供无水分的环境。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述稀释剂中没有H₂O、丙酮、和醛。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述溶液是液体。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述溶液是蒸气。

15.一种用于处理半导体器件的溶液，包含：

非水溶剂；和

酸前体。