[发明专利]一种低衰耗弯曲不敏感单模光纤

权利要求书

1.一种低衰耗弯曲不敏感单模光纤，包括有纤芯层、下陷内包层、内包层、下陷外包层和纯二氧化硅玻璃外包层，其特征在于纤芯层从内向外由折射率从高到低的第一芯层、第二芯层以及第三芯层所组成，所述的第一芯层半径R1为2.5μm～3.3μm，相对折射率差Δ1为0.25％～0.38％；所述的第二芯层半径R2为4μm～5μm，相对折射率差Δ2为0.15％～0.25％；所述的第三芯层半径R3为5.3μm～6.3μm，相对折射率差Δ3为0.02％～0.15％；所述的下陷内包层半径R4为7μm～8μm，相对折射率差Δ4为-0.15％～0％。

2.按权利要求1所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述内包层为纯二氧化硅玻璃层，R5为8μm～10μm。

3.按权利要求2所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述的下陷外包层为F掺杂的二氧化硅玻璃层，R6为12μm～18μm；Δ6为-0.35％～-0.20％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。

4.按权利要求1或2所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述的纤芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层，其中氟的贡献量为-0.05％～-0.12％。

5.按权利要求1或2所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于光纤在1310nm波长处的模场直径为8.4～9.6微米。

6.按权利要求1或2所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.335dB/km，在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.195dB/km。

7.按权利要求1或2所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于光纤具有小于或等于1260nm的光缆截止波长。

8.按权利要求1或2所述的低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于光纤在1550nm波长处，对于围绕15毫米弯曲半径绕10圈的弯曲附加损耗小于或等于0.15dB；对于围绕10毫米弯曲半径绕1圈的弯曲附加损耗小于或等于0.5dB。