[发明专利]一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法在审
申请号: | 201410471864.1 | 申请日: | 2014-09-16 |
公开(公告)号: | CN105448332A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 林殷茵;杨建国 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人: | 吴桂琴 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻 随机 读取 存储器 及其 操作方法 | ||
1.一种电阻型随机读取存储器,其特征在于,包括:
写操作信号生成模块(350),其用于至少生成置位(Set)/复位(Reset)操作信号的预操作信号以及电压逐渐下降/上升的转换操作信号;以及
开始转换监测模块(310),其至判断被偏置有所述预操作信号的电阻型随机读取存储器的存储单元是否发生开始由高阻态/低阻态向低阻态/高阻态转换,并在发生开始由高阻态/低阻态向低阻态/高阻态转换时输出第一反馈信号(FB1);
其中,所述写操作信号(350)生成模块基于所述第一反馈信号(FB1)生成所述转换操作信号并将其偏置在所述存储单元上以继续进行所述由高阻态/低阻态向低阻态/高阻态转换的置位/复位操作过程。
2.如权利要求1所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述开始转换监测模块(310)还被配置用于监测置位/复位操作是否成功、并在监测到成功进行置位/复位操作时输出第二反馈信号(FB2);
并且,所述写操作信号(350)生成模块基于所述第二反馈信号(FB2)终止生成所述转换操作信号。
3.如权利要求1或2所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述开始转换监测模块(310)包括:
写通路电流检测器(311),其用于动态检测在偏置置位/复位操作信号于被选中的存储单元上时写通路上的写电流(Iwrite);以及
边沿检测电路,其至少用于监测出发生开始由高阻态/低阻态向低阻态/高阻态转换并输出所述第一反馈信号(FB1);
其中,所述写通路电流检测器(311)基于所述写电流(Iwrite)输出在偏置置位/复位操作信号于被选中的存储单元上时从写通路所检测的电压信号(Vdetect),该检测的电压信号(Vdetect)被输入至所述边沿检测电路。
4.如权利要求3所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述边沿检测电路包括微分电路(312)和第一比较器(313)。
5.如权利要求3所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述边沿检测电路还用于监测置位/复位操是否成功、并在监测到成功进行置位/复位操作时输出第二反馈信号(FB2)。
6.如权利要求1或2所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述开始转换监测模块(310)包括:
写通路电流检测器(311),其用于动态检测在偏置置位/复位操作信号于被选中的存储单元上时写通路上的写电流(Iwrite);以及
第二比较器(314);
其中,所述写通路电流检测器(311)基于所述写电流(Iwrite)输出在偏置置位/复位操作信号于被选中的存储单元上时从写通路所检测的电压信号(Vdetect),该检测的电压信号(Vdetect)被输入至第二比较器(314),所述第二比较器(314)将该检测的电压信号(Vdetect)与第一预定值(Iset1/IReset1)进行比较,在该检测的电压信号(Vdetect)大于/小于第一预定值(Iset1/IReset1)时,表示发生开始由高阻态/低阻态向低阻态/高阻态转换,所述第二比较器(314)输出所述第一反馈信号(FB1)。
7.如权利要求6所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述第二比较器(314)被配置为将该检测的电压信号(Vdetect)与第二预定值(Iset2/IReset2)进行比较,在该检测的电压信号(Vdetect)大于/小于第二预定值(Iset2/IReset2)时,表示置位/复位操成功,所述第二比较器(314)输出第二反馈信号(FB2)。
8.如权利要求1所述的电阻型随机读取存储器,其特征在于,所述预操作信号的电压值恒定或者电压值逐渐上升。
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