[发明专利]存储器和包括存储器的存储系统

说明书

一种存储器包括：多个字线；测量块，其适于测量多个字线之中的激活字线的激活持续时间；以及刷新电路，其适于当激活持续时间超过预定的阈值时，控制刷新操作以刷新多个字线中与激活字线相邻的一个或更多个。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年1月21日提交的申请号为10-2014-0007178的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器和包括其的存储系统。

背景技术

存储器的存储器单元包括用作切换器的晶体管以及储存电荷(其是数据)的电容器。数据根据存储器单元的电容器中的电荷累积，换言之，电容器的端子电压电平为高还是低，而被标识为与逻辑“1”相对应的逻辑高或与逻辑“0”相对应的逻辑低。

理论上，由于通过在电容器中的电荷累积的方式来储存数据，所以在存储器单元中无数据丢失。然而，由于MOS晶体管的PN结中和其它位置处的电流泄漏，所以累积在电容器中的初始电荷可能减少，且因此储存在存储器单元中的数据可能丢失。为了防止数据丢失，储存在存储器单元中的数据被读取，并且在丢失储存的数据之前，电荷需要根据读取数据而被周期性地重新充电，这被称为刷新操作。刷新操作允许存储器保持储存的数据而没有数据丢失。

图1是说明包括在存储器中的单元阵列的一部分的电路图。在图1中，BL表示位线。

参见图1，单元阵列中的三个字线WLK-1、WLK和WLK+1被并行布置。此外，具有标号“HIGH_ACT”的第K字线WLK是激活字线。第K-1字线WLK-1和第K+1字线WLK+1与激活的第K字线WLK相邻。此外，第K-1存储器单元CELL_K-1、第K存储器单元CELL_K和第K+1存储器单元CELL_K+1分别与第K-1字线WLK-1、第K字线WLK和第K+1字线WLK+1电耦接。第K-1存储器单元CELL_K-1、第K存储器单元CELL_K和第K+1存储器单元CELL_K+1分别包括：第K-1单元晶体管TR_K-1、第K单元晶体管TR_K和第K+1单元晶体管TR_K+1；以及第K-1单元电容器CAP_K-1、第K单元电容器CAP_K和第K+1单元电容器CAP_K+1。

当第K字线WLK被激活时，相邻的第K-1字线WLK-1和第K+1字线WLK+1的电压由于第K字线WLK与相邻的第K-1字线WLK-1和第K+1字线WLK+1之间的耦合而波动，从而影响储存在第K-1单元电容器CAP_K-1和第K+1单元电容器CAP_K+1中的电荷，这被称作为字线干扰。换言之，相邻字线WLK-1和WLK+1的存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1的数据丢失的可能性增加，随着激活的字线WLK的激活增加，这变得更加严重。

发明内容

本发明的各种实施例涉及防止字线干扰的存储器和存储系统。

根据本发明的一个实施例，一种存储器可以包括：多个字线；测量块，其适于测量多个字线之中的激活字线的激活持续时间；以及刷新电路，其适于当激活持续时间被测量超过阈值时，控制刷新操作以刷新多个字线中与激活字线相邻的一个或更多个。

当激活持续时间被测量超过阈值时，刷新电路可以响应于刷新命令而控制第一刷新操作以刷新字线中与激活字线相邻的一个或更多个。

此外，刷新电路可以控制第一刷新操作被进一步地执行以顺序刷新多个字线。