[发明专利]一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板

权利要求书

1.一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板，所述GaN基HEMT器件包括主器件HEMT区(1)、辅助二极管区(2)以及将主器件HEMT区(1)和辅助二极管区(2)横向隔离的隔离区(3)；其特征在于，所述自适应偏置场板(4)纵向连接主器件HEMT区(1)、辅助二极管区(2)和隔离区(3)；其中，

所述主器件HEMT区(1)包括衬底(5)、位于衬底(5)上层的缓冲层(6)、位于缓冲层(6)上层的势垒层(7)和位于势垒层(7)上层的钝化层(8)；所述势垒层(7)上表面两端分别设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间设置有栅电极；所述自适应偏置场板(4)位于主器件HEMT区(1)的部分设置在栅电极和漏电极之间的钝化层(8)的上表面；

所述辅助二极管区(2)包括衬底(51)、位于衬底(51)上层的缓冲层(61)、位于缓冲层(61)上层的势垒层(71)和位于势垒层(71)上层的钝化层(81)；所述势垒层(71)上表面的两端分别设置有阳极和阴极；所述阳极与源电极的位置相对应并建立电气连接，所述阴极与漏电极的位置相对应并建立电气连接；所述自适应偏置场板(4)位于辅助二极管区(2)的部分嵌入在钝化层(81)中并与势垒层(71)的上表面连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板，其特征在于，所述自适应偏置场板(4)为m个，每个自适应偏置场板之间相互独立，其中m为正整数。

3.根据权利要求2所述的一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板，其特征在于，所述m个自适应偏置场板中有n个与源电极建立电气连接，i个与漏电极建立电气连接，j个与栅电极建立电气连接，k个浮空；其中，n、i、k、j为自然数，且n+i+k+j＜m，n≥0，i≥0，j≥0，k≥0。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板，其特征在于，所述辅助二极管区(2)为肖特基二极管或PN结二极管。

5.根据权利要求4所述的一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板，其特征在于，所述栅电极与势垒层表面接触形成肖特基结构。

6.根据权利要求4所述的一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板，其特征在于，所述栅电极与势垒层之间由绝缘介质隔开形成MIS结构。