[发明专利]氨气传感器有效
| 申请号: | 201410470291.0 | 申请日: | 2014-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN104267139A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
| 发明(设计)人: | 汤忠华;潘登;刘屿;滕卫星;陈烈 | 申请(专利权)人: | 金坛鸿鑫电子科技有限公司 |
| 主分类号: | G01N31/12 | 分类号: | G01N31/12 |
| 代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
| 地址: | 213215 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氨气 传感器 | ||
1.一种氨气传感器,其特征在于:包括上层基片(10)、中层基片(20)和下层基片(30),所述上层基片(10)与中层基片(20)之间具有一定空间,所述空间内形成有相邻的进气区(40)和反应区(50),所述进气区(40)和反应区(50)相隔离;
所述上层基片(10)上开设有第一进气口(11)和第二进气口(12),第一进气口(11)与进气区(40)连通,第二进气口(12)与反应区(50)连通;
所述上层基片(10)上从靠近第二进气口(12)的位置开始依次设有多个第二加热体(13);
所述中层基片(20)上设有氧泵(21)、第一氧传感器(22)和第二氧传感器(23),所述第一氧传感器(22)位于进气区(40)的靠近第一进气口(11)的位置,所述第二氧传感器(23)位于反应区(50)的远离第二进气口(12)的一端,所述氧泵(21)位于靠近第二进气口(12)的位置。
2.如权利要求1所述的氨气传感器,其特征在于:所述下层基片(30)上设有第一加热体(31),所述第一加热体(31)在中层基片(20)上从靠近第一进气口(11)的位置开始一直往靠近第二氧传感器(23)的位置延伸。
3.如权利要求1所述的氨气传感器,其特征在于:所述上层基片(10)上从靠近第二进气口(12)的位置开始依次设有三个第二加热体(13),三个第二加热体(13)从靠近第二进气口(12)的位置一直延伸到靠近第二氧传感器(23)的位置。
4.如权利要求1所述的氨气传感器,其特征在于:所述第一进气口(11)位于反应区(50)的靠近进气区(40)的一端,第二进气口(12)位于进气区(40)的靠近反应区(50)的一端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金坛鸿鑫电子科技有限公司,未经金坛鸿鑫电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410470291.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种气液分离器
- 下一篇:一种化工用精细单丝滤布





