[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管制作方法

权利要求书

1.一种射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P型衬底上生长P型外延层，P型外延层的掺杂浓度比P型衬底低；

二.在P型外延层上面热氧化生长一氧化层，然后淀积一层多晶硅，在硅片中部光刻刻蚀出多晶硅栅；

三.保留多晶硅栅上面的光刻胶，进行第一次N型离子注入，第一次N型离子注入是自对准垂直注入；

四.保留多晶硅栅上面的光刻胶，进行第二次N型离子注入，第二次N型离子注入是自对准斜角注入，第二次N型离子注入深度比第一次N型离子注入深度浅；

五.通过光刻板定义第三次N型离子注入区域，第三次N型离子注入区域，为离开多晶硅栅右侧一定距离的P型外延层；在第三次N型离子注入区域注入N型离子，第三次N型离子注入深度大于等于第一次及第二次N型离子注入深度，剂量小于等于第一次及第二次N型离子注入的总剂量；

六.通过模板定义P阱区域，在多晶硅栅左侧的P型外延层中进行P型离子注入，然后高温推进形成P阱；

七.通过光刻版，在多晶硅栅左侧P阱上定义出源端N+区域，在第三次N型离子注入区域右端定义出漏端N+区域，在源端N+区域左侧P阱上定义出衬底端P+区域，在源端N+区域、漏端N+区域注入N型杂质；在衬底端P+区域注入P型杂质；

八.去除光刻胶，在硅片上淀积一层介质层；

九.在介质层上淀积一金属层，通过模板定义，刻蚀形成法拉第屏蔽层，法拉第屏蔽层的下部为法拉第屏蔽介质层，上部为法拉第屏蔽金属层，法拉第屏蔽层的左部在多晶硅栅右部的上方，法拉第屏蔽金属层的右端在第三次N型离子注入区域左部上方；法拉第屏蔽层的左部高于右部；

十.通过模板，在衬底端P+区域定义出多晶硅塞或者金属塞的位置和大小，刻蚀至P型衬底，淀积多晶硅或者金属，形成多晶硅或者金属塞。

2.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

所述P型外延层，体浓度为1e14～1e16个/cm³，厚度为1～10um。

3.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

第一次N型离子注入的杂质为磷或者砷，能量为50～200keV，剂量为1e12～1e13个/cm²。

4.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

第二次N型离子注入的注入角度为2°～45°，杂质为磷或者砷，能量为30～100keV，剂量为1e12～1e13个/cm²。

5.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

第三次N型离子注入区域，离开多晶硅栅右侧的距离为0.1～1.5um，第三次N型离子注入的杂质为磷或者砷，能量为100～500keV，剂量为1e12～5e12个/cm²。

6.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

P阱区域注入的杂质为硼，注入能量为30～300keV，剂量为1e12～2e14/cm²。

7.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

注入源端N+区域及漏端N+区域的N型杂质为磷或砷，能量为0keV～200keV，剂量为10¹³～10¹⁶/cm²；

注入衬底端P+区域的P型杂质为硼或者二氟化硼，能量为0keV～100keV，剂量为10¹³～10¹⁶/cm²。

8.根据权利要求1所述的射频横向双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

步骤八中淀积的介质层为氧化硅，厚度为500埃～2000埃。