[发明专利]边界波谐振式磁传感器有效
| 申请号： | 201410467102.4 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104215917B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 周卓帆 | 申请（专利权）人： | 瑞声光电科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213167 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边界 谐振 传感器 | ||
1.一种边界波谐振式磁传感器，其特征在于，其包括：
一压电基底；
一电介质层，形成在该压电基底的一个表面上，其包括与该压电基底相结合的下表面和与该下表面相对设置的上表面；
一叉指电极，设置于压电基底和电介质层之间并被该电介质层覆盖，其用于产生边界波；
一磁致伸缩薄膜，形成于该电介质层的上表面，并遮盖所述叉指电极，用于感应外界磁场并基于该外界磁场而改变自身杨氏模量；
其中，所述磁致伸缩薄膜自身杨氏模量的变化引起上述边界波的谐振频率变化，所述边界波谐振式磁传感器通过检测该边界波的谐振频率变化来检测外界磁场的变化。
2.如权利要求1所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于：所述压电基底为单晶压电基底或压电薄膜。
3.如权利要求1所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于：所述叉指电极包括叉指换能器和位于叉指换能器两端的反射器。
4.如权利要求1所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述电介质层的声速小于压电基底的声速。
5.如权利要求1所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述电介质层由二氧化硅制成。
6.如权利要求1所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述磁致伸缩薄膜为具有单轴各向异性和巨杨氏模量效应的FeSiB、FeSiBC或FeCoSiB磁致伸缩薄膜。
7.如权利要求1所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述边界波谐振式磁传感器还包括在磁致伸缩薄膜远离所述电介质层的表面上形成的保护层。
8.如权利要求7所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述保护层由树脂材料制成，其用于吸收杂波和保护所述磁致伸缩薄膜。
9.如权利要求7所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述保护层由高声速材料制成，其用于隔离磁致伸缩薄膜表面免受环境因素的影响。
10.如权利要求7所述的边界波谐振式磁传感器，其特征在于，所述保护层由二氧化硅制成，其用于改善该边界波谐振式磁传感器的频率温度特性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞声光电科技(常州)有限公司，未经瑞声光电科技(常州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410467102.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
