[发明专利]一种快闪存储器的制造方法

说明书

本发明公开了一种快闪存储器的制造方法，包括在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成，在回刻掩模层和刻蚀牺牲层后的基底上形成衬垫层得到圆滑转角的半导体结构，在圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层，在绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区，部分移除隔离氧化物层和绝缘层直到隔离氧化物层和绝缘层与掩模层平齐为止，去除位于有源区的掩模层，露出与掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层，去除露出的牺牲层和部分绝缘层露出有源区的基底，在露出的有源区的基底上依次形成隧道氧化物层和浮栅层。本发明能够防止隔离区的隔离氧化物对隧道氧化物和衬垫层的影响，从而提高快闪存储器的数据保持特性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种快闪存储器的制造方法。

背景技术

快闪存储器具有不易流失以及可重复擦除读写的特性，此外还具有传输速度快和低耗电的特性，使得快闪存储器在便携式产品、资讯、通讯及消费性电子产品中的应用非常广泛。

在快闪存储器中，数据保持性能(Data Retention)是一个重要的性能指标，为了提高数据保持性能，现有技术中一般采用现场蒸汽生成工艺(In-Situ Steam Generation，简称ISSG)在沟道边界形成衬垫氧化物，目的在于使沟道边界的转角变圆角(cornerrounding)保证沟道边沿处的隧道氧化物厚度和绝缘性能，且能够防止尖端放电对于闪存器件造成击穿或性能受损，但是在后续工艺中由于隔离氧化物的影响，使得隧道氧化物和衬垫氧化物的性能难以得到保障，从而降低快闪存储器的数据保持特性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种快闪存储器的制造方法，以提高快闪存储器的数据保持特性。

本发明实施例提供了一种快闪存储器的制造方法，所述方法包括：

在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，其中，所述半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成；

对所述掩模层进行回刻至所述牺牲层，并以剩余掩模层为掩模刻蚀所述牺牲层至所述基底；

在回刻所述掩模层和刻蚀所述牺牲层后的所述基底上形成衬垫层，以得到圆滑转角的半导体结构；

在所述圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区；

部分移除所述隔离氧化物层和所述绝缘层直到所述隔离氧化物层和绝缘层与所述掩模层平齐为止；

去除位于有源区的所述掩模层，露出与所述掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层；

去除所述露出的牺牲层和部分绝缘层，露出有源区的基底；

在所述露出的有源区的基底上形成隧道氧化物层；

在所述隧道氧化物层上形成浮栅层。

进一步地，所述衬垫层的厚度处于50纳米～150纳米之间。

进一步地，采用现场蒸汽生成工艺在回刻所述掩模层和刻蚀所述牺牲层后的所述基底上形成衬垫层，以得到圆滑转角的半导体结构。

进一步地，所述在所述圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层包括：

在所述圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层；

对所述绝缘层进行致密化处理。

进一步地，所述对所述绝缘层进行致密化处理的温度范围为700℃～900℃之间，维持时间为10min～60min之间，气体氛围为N₂或者N₂与Ar的混合气体。

进一步地，在所述绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区包括：