[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成一第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成一第一发光层，所述第一发光层发出第一种颜色光；

蚀刻部分该第一半导体层及该第一发光层，从而形成多个柱体；

在所述第一发光层上形成一第二发光层，所述第二发光层包括多个第二发光层单体，每个第二发光层单体对应包覆一柱体，所述第二发光层发出与第一种颜色不同的第二种颜色光；以及

在该第二发光层上形成一第二半导体层。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：所述基板为蓝宝石基板、硅基板或氮化镓基板，通过金属有机化合物化学气相沉积的工艺在基板的c平面上连续地外延生长所述第一半导体层、第一发光层、第二发光层及第二半导体层。

3.如权利要求2所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：在基板的c平面上生长的所述第一半导体层具有非极性平面与半极性平面，所述第二发光层在所述非极性平面与半极性平面上外延生长。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：形成多个柱体的步骤包括：先对第一发光层及第一半导体层进行纳米压印，然后再进行微影蚀刻而形成多个所述柱体，该第一发光层通过蚀刻形成多个第一发光层单体，部分第一半导体层通过蚀刻形成多个呈柱状向上凸出的第一半导体层单体，每个所述柱体包括层叠的第一发光层单体及第一半导体层单体。

5.如权利要求4所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：每个第二发光层单体的侧部对应环绕在一柱体周围。

6.如权利要求5所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：每个第二发光层单体的顶部处形成一量子点，该量子点发出第三种颜色光。

7.一种发光二极管晶粒，包括：

第一半导体层；

形成在第一半导体层上的第一发光层，所述第一发光层发出第一种颜色光；

多个柱体，多个所述柱体贯穿所述第一发光层并延伸到部分所述第一半导体层；

形成在第一发光层上的第二发光层，所述第二发光层包括多个第二发光层单体，每个第二发光层单体对应包覆一柱体，所述第二发光层发出与第一种颜色光不同的第二种颜色光；及

形成在第二发光层上的第二半导体层。

8.如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：还包括一基板，该基板为蓝宝石基板、硅基板或氮化镓基板，所述第一半导体层、第一发光层、第二发光层及第二半导体层依次形成在该基板的c平面上。

9.如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层上形成多个向上凸出的、呈柱状的第一半导体层单体，该第一发光层包括层叠在第一半导体层单体上的多个第一发光层单体，每个所述柱体包括第一发光层单体及第一半导体层单体，每个第二发光层单体对应包覆一第一发光层单体及一第一半导体层单体。

10.如权利要求9所述的发光二极管晶粒，其特征在于：每个第二发光层单体的顶部处形成一量子点，该量子点发出第三种颜色光。