[发明专利]一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法

权利要求书

1.一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，包括以下步骤：

步骤1：在需要刻蚀的III-V族化合物半导体材料表面淀积掩膜层；

步骤2：在步骤1所得掩膜层上涂敷光刻胶，并光刻出待刻蚀区图形；

步骤3：刻蚀掉步骤2所得待刻蚀区的掩膜层，露出III-V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域，并去除其余光刻胶；

步骤4：对步骤3所得III-V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域进行低温氧气等离子体氧化处理，使得III-V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域表面生成一层氧化层；

步骤5：采用酸性腐蚀液腐蚀掉步骤4所得氧化层；

步骤6：重复执行步骤4和步骤5，直至III-V族化合物半导体材料需要刻蚀的区域达到预定刻蚀深度；

步骤7：腐蚀掩膜层。

2.根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，所述III-V族化合物半导体材料为GaN、GaAs、AlN、AlGaN、AlInN、InGaN、InAlAs、InGaAs或InAlGaN。

3.根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，步骤1中所述掩膜层淀积方式为等离子体增强化学气相淀积、感应耦合等离子体增强化学气相淀积或光学薄膜淀积；所述掩膜层材料为二氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，步骤2中所述光刻胶为AZ5214，所述光刻方式为接触式光刻。

5.根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，步骤3中所述掩膜层的刻蚀方法采用反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀；光刻胶的去除方式为丙酮、异丙醇、去离子水分别超声清洗的方式去除。

6.根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，步骤4中所述低温氧气等离子体氧化处理的具体方法为：采用等离子体去胶机，功率为100～400w，温度20℃到150℃，氧气流量为200～800sccm，处理时间为1～10分钟。

7.根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，其特征在于，步骤7中所述腐蚀液为BOE或氢氟酸。