[发明专利]一种抗EMI用铁氧体材料及其制备方法

说明书

技术领域

 本发明属于软磁抗EMI（Electromagnetic Interference，简称EMI）领域，具体涉及一种具有高初始磁导率、高体电阻率的抗EMI用铁氧体材料及其制备方法。

背景技术

随着电子技术的日益发展，特别是数字技术的飞速发展。世界各国对电子设备抗EMI的能力非常重视，如何有效降低电子设备的电磁波干扰，成为广大科研人员普遍关心的问题。利用软磁铁氧体制成各种抑制EMI的元器件，广泛应用到各种电子设备当中，以防止不需要的信号反馈和耦合，避免产生寄生震荡，从而有效抑制传导和辐射噪音。

铁氧体产生的阻抗值：

 Z_F=R + jω，

Z_F=(R²+X_L²)^1/2，

 其中X_L=2πfL，R---阻抗的电阻分量，ωL---感抗分量。

 Z_F随频率的变化而变化。在低频阶段，感抗对阻抗的贡献较大，相同规格磁心，电感高，阻抗值大；在高频阶段，电阻对阻抗的贡献大，相同规格磁心，电阻率大，阻抗值大。

如CN 103641464A公开了一种抗电磁干扰的镁锌铁氧体材料及其制备方法。它是用Fe₂O₃ 40-55mol%、MgO 5-35mol%、ZnO 5-40mol%、CuO 5-18mol%组成，辅助成分由氧化锰、氧化铋、滑石粉，碳酸钙，氧化硅，氧化钛，氧化钼中的三种或三种以上组成。从实施例来看，该技术方案所获得的磁心，初始磁导率仅在500-1600之间，这表明在低频（100K-10M）段阻抗会低下。

如CN 103337326A公开了一种宽频高导材料及其制粉工艺。用Fe₂O₃（51.8-53.2mol%）、MnO（24-27mol%）、其余ZnO。辅助成分包括第一添加组分碳酸钙0.025-0.05重量%、氧化钛0.015-0.05重量%，氧化锗0.015-0.025重量%中的一种或两种的组合；第二添加组分氧化硅0.008-0.012重量%、氧化铌0.005-0.025重量%或氧化镍0.01-0.025重量%中的一种或两种组合；第三组添加组分氧化铋0.02-0.06重量%、氧化钼0.01-0.04重量%中的之一或两种组成成分。从实施例来看，该技术方案获得的磁心，1M磁导率在2000以下；同时该文件未给出体电阻率的数据，其所采用的配方主成分Fe₂O₃含量超过50mol%，其体电阻率一般无法达到100Ωm，在高频（5M以上）阻抗会低下。

现有抗EMI铁氧体材料有两种：一种是组成中Fe₂O₃超过50mol%的锰锌铁氧体材料，其起始磁导率高，可达5000及以上，在频率为100K到5M范围内，具有高的阻抗，但是由于其配方中Fe₂O₃含量超过50摩尔，体电阻率低下，导致频率在5M以上，阻抗值低下；一种是组成中氧化铁低于50mol%的镍锌或镁锌铁氧体，其起始磁导率低，往往在2000以下，在频率为100K到5M范围内，阻抗值低下，但是因其采用缺铁配方，其体电阻率高达10000Ωm及以上，在频率为25M及更高时，其阻抗值高。

为了克服现有技术的不足，亟需提供一种高初始磁导率、高体电阻率的铁氧体材料，以满足电子设备对抗EMI特性的要求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种高初始磁导率、高体电阻率的铁氧体材料，以满足电子设备对抗EMI特性的要求。

本发明还提供了所述铁氧体材料的制备方法。

本发明所采取的技术方案是：

一种抗EMI用铁氧体材料，由主成份和辅助成份制备获得，其特征在于：主成份包括：Fe₂O₃ 44-49.5mol%、ZnO 17-24mol%及余量的MnO；按主成份总重量计，辅助成份包括CoO 3000-20000 ppm。

优选的，主成份包括：Fe₂O₃ 45.5-48.5mol%、ZnO 18-23mol%及余量的MnO；按主成份总重量计，辅助成份包括CoO 5000-9000ppm。