[发明专利]硅片的制绒工艺

权利要求书

1.一种硅片的制绒工艺，其特征在于，所述硅片的制绒工艺包括如下步骤：

S1.提供硅片，在硅片的表面制备阻挡膜；

S2.去除所述硅片待制绒面上的阻挡膜，暴露出硅片的待制绒面；

S3.利用有机碱类溶液对所述硅片的待制绒面进行制绒加工，所述有机碱类溶液中的溶质成分选自如下物质中的一种：四甲基氢氧化氨、联胺或EPW；

S4.去除硅片上与制绒面相背的一面上的阻挡膜。

2.根据权利要求1所述的硅片制绒工艺，其特征在于，步骤S1中，所述阻挡膜为二氧化硅时，制备所述二氧化硅阻挡膜包括如下步骤：向炉管中通入氧气，在800℃条件下，反应20min，形成厚度至少为10nm的二氧化硅膜。

3.根据权利要求1所述的硅片的制绒工艺，其特征在于，步骤S1中，所述阻挡膜为氮化硅时，制备所述氮化硅阻挡膜包括如下步骤：向炉管中通入800sccm硅烷、10slm氨气，在400℃条件下，反应100-300s，形成厚度为10-30nm的氮化硅膜。

4.根据权利要求1所述的硅片的制绒工艺，其特征在于，步骤S2中，利用体积百分比为5％的HF溶液，通过湿法背刻蚀，单面去除硅片待制绒面上的阻挡膜。

5.根据权利要求1所述的硅片的制绒工艺，其特征在于，步骤S3中，所述有机碱类溶液为四甲基氢氧化氨与异丙醇形成的混合溶液，其中，四甲基氢氧化氨的体积百分比为2-10％，利用四甲基氢氧化氨与异丙醇形成的混合溶液进行制绒加工时，在70-95℃的条件下，反应20-60min。

6.根据权利要求1所述的硅片的制绒工艺，其特征在于，步骤S4中，利用体积百分比分别为5％的HF溶液以及5％的HCL溶液，清洗去除硅片上与制绒面相背的一面上的阻挡膜。

7.一种硅片的制绒工艺，其特征在于，所述硅片的制绒工艺包括如下步骤：

S1'.提供硅片，在硅片的正反两面进行第一次制绒，对第一次制绒的硅片的正面进行扩散掺杂，经扩散掺杂处理的硅片表面形成阻挡膜，所述阻挡膜为磷硅玻璃或硼硅玻璃；

S2'.单面去除硅片背面上的阻挡膜，暴露出硅片的背面；

S3'.利用有机碱类溶液对暴露出的背面进行第二次制绒，所述有机碱类溶液中的溶质成分选自如下物质中的一种：四甲基氢氧化氨、联胺或EPW；

S4'.去除硅片正面上的阻挡膜。

8.根据权利要求7所述的制绒工艺，其特征在于，步骤S2'中，利用体积百分比为5％的HF溶液，通过湿法背刻蚀，单面去除硅片背面上的阻挡膜。

9.根据权利要求7所述的制绒工艺，其特征在于，步骤S3'中，所述有机碱类溶液为四甲基氢氧化氨与异丙醇形成的混合溶液，其中，四甲基氢氧化氨的体积百分比为2-10％，利用四甲基氢氧化氨与异丙醇形成的混合溶液进行制绒加工时，在70-95℃的条件下，反应20-60min。

10.根据权利要求7所述的制绒工艺，其特征在于，步骤S4'中，利用体积百分比分别为5％的HF溶液以及5％的HCL溶液，清洗去除硅片正面上的阻挡膜。