[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201410461310.3 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN104576686B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 曺永振;黄荣仁;金东奎 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/32 |
代理公司: | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 发射 像素电路 发射装置 备用 驱动电流 显示区域 耦合 修复线 有机发光显示设备 驱动晶体管 驱动单元 修复区域 发光 | ||
一种有机发光显示设备包括位于显示区域中的发射像素和位于显示区域之外的修复区域中的备用像素电路。发射像素包括多个子发射像素,其中每个子发射像素均包括用于生成与输入数据信号相对应的驱动电流的驱动单元和用于通过使用驱动电流发光的发射装置。备用像素电路耦合至修复线,修复线耦合至多个子发射像素中的一个子发射像素的发射装置。备用像素电路包括与多个子发射像素相对应的多个驱动晶体管。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年10月22号向韩国知识产权局提交的第10-2013-0126115号韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的一个或多个实施方式的方面涉及有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备通过使用有机发光二极管(OLED)来显示图像,有机发光二极管为根据电流或电压控制亮度的发光装置。基于有机发光显示设备的一些因素(如其设计和预期用途),其可具有复杂的像素电路以及困难的制造过程。因此,大尺寸和高分辨率的有机发光显示设备的产量会降低。
发明内容
本发明的一个或多个实施方式提供了一种有机发光显示设备,其能够通过减少或最小化用于修复缺陷像素的备用像素电路的空间来减少死角。
在本发明的一个实施方式中,提供了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备包括位于显示区域中的发射像素和位于显示区域之外的修复区域中的备用像素电路。发射像素包括多个子发射像素,其中每个子发射像素均包括用于生成与输入数据信号相对应的驱动电流的驱动单元和用于通过使用驱动电流进行发光的发射装置。备用像素电路耦合至修复线,修复线耦合至多个子发射像素中的一个子发射像素的发射装置。备用像素电路包括与多个子发射像素相对应的多个驱动晶体管。
备用像素电路可包括:用于生成与输入数据信号相对应的驱动电流的第一驱动单元、用于将驱动电流从第一驱动单元传送至与修复线耦合的发射装置的第二驱动单元以及与多个子发射像素相对应的多个伪发射装置。
第一驱动单元可包括多个驱动晶体管、开关晶体管、以及补偿晶体管,其中该多个驱动晶体管中的一个驱动晶体管与多个子发射像素中的一个子发射像素相对应并包括耦合至第一节点的栅电极、耦合至第一电源电压源的第一电极和耦合至第三节点的第二电极;开关晶体管包括耦合至扫描线的栅电极、耦合至数据线的第一电极和耦合至第二节点的第二电极;补偿晶体管包括耦合至第一控制线的栅电极、耦合至第一节点的第一电极和耦合至第三节点的第二电极。第一驱动单元还可包括存储电容器和补偿电容器,其中存储电容器包括耦合至第一电源电压源的第一电极和耦合至第二节点的第二电极;以及补偿电容器包括耦合至第一节点的第一电极和耦合至第二节点的第二电极。
除了上述一个驱动晶体管之外的该多个驱动晶体管可被禁用。
存储电容器可包括与多个子发射像素相对应的多个存储电容器,多个存储电容器中的一个存储电容器与多个子发射像素中的一个子发射像素相对应并包括耦合至第一电源电压源的第一电极和耦合至第二节点的第二电极。除了上述一个存储电容器之外的该多个存储电容器可被禁用。
第二驱动单元可包括第一修复晶体管、第二修复晶体管、以及第三修复晶体管,第一修复晶体管配置成在发射像素的发射周期中导通,以及将第一驱动单元与修复线电连接;第二修复晶体管位于第一驱动单元与伪发射装置之间,并配置成在发射像素的非发射周期中导通,而在发射像素的发射周期中截止;以及第三修复晶体管配置成在发射周期之前紧邻的预发射周期中导通,以及将供给至修复线的前一帧的驱动电压初始化。
第三修复晶体管可包括与多个子发射像素相对应的多个第三修复晶体管,该多个第三修复晶体管中的一个第三修复晶体管与多个子发射像素中的一个子发射像素相对应并配置成在预发射周期中导通以及将供给至修复线的前一帧的驱动电压初始化。除了上述一个第三修复晶体管之外的该多个第三修复晶体管可被禁用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的