[发明专利]用于操作电容测量电路的方法有效
申请号: | 201410460579.X | 申请日: | 2009-10-12 |
公开(公告)号: | CN104280429B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 瑞托·格里克;P·奥特;R·乔斯 | 申请(专利权)人: | 乌斯特技术股份公司 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 操作 电容 测量 电路 方法 | ||
1.一种操作电容测量电路(1)的方法,所述测量电路包括待测电容器配置(2,21)、至少一个具有可变电容的部件(3,31,32),该至少一个具有可变电容的部件(3,31,32)的电容能够通过至少一个电控制信号(71,72)来改变,和用于输出所述测量电路(1)的输出信号的输出线(58,59),其特征在于:
所述待测电容器配置(2,21)维持不变,且所述电控制信号与所述测量电路(1)的输出信号无关。
2.根据权利要求1所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中所述电控制信号是一种暂时快速变化的、合成产生的和/或先前储存的信号。
3.根据权利要求1所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中所述至少一个具有可变电容的部件(3,31,32)选自下组中的部件:变容二极管(31,32)、除变容二极管之外的其他二极管、多个相互并联且可与各自的电控制信号连接和断开的平衡电容器(33)。
4.根据权利要求3所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中所述部件选自下组中:反向偏置晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、微机电电容器、能够由压电元件改变电极距离的电容器。
5.根据权利要求1所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中所述测量电路(1)被配置成至少具有两个电桥臂(11至14)的电容测量电桥,其中一个电桥臂(11)是包括所述待测电容器配置(21)的测量臂,且至少另一个电桥臂(12,14)包括所述至少一个具有可变电容的部件(31,32)。
6.根据权利要求5所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中所述电容测量电桥包括四个电桥臂(11至14)。
7.根据权利要求1所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中所述测量电路(1)包括两个具有可变电容的部件(31,32),所述两个具有可变电容的部件的电容能够由至少一个电控制信号(71,72)改变。
8.根据权利要求7所述的操作电容测量电路(1)的方法,其中通过基本上相互反对称的方式改变所述两个具有可变电容的部件(31,32)的电容。
9.一种在对移动的长条形测试材料(9)进行电容性检查的设备中操作电容测量电路(1)的方法,
该设备包括具有用于容纳所述测试材料(9)的待测电容器配置(21)的电容测量电路(1),至少一个具有可变电容的部件(3,31,32),其电容能够通过至少一个电控制信号(71,72)来改变,其中,所述至少一个具有可变电容的部件(3,31,32)的可变电容被所述至少一个电控制信号(71,72)所改变,和用于输出所述电容测量电路(1)的输出信号的输出线(58,59),其特征在于:
所述待测电容器配置(21)维持不变,且所述电控制信号与所述电容测量电路(1)的输出信号无关。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述设备还包括用于向所述电容测量电路(1)施加交变电压信号以在所述待测电容器配置(21)中产生交变电场的装置(4)、以及在所述待测电容器配置(21)中用于容纳所述测试材料(9)的通孔,该通孔能经受所述交变电场。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述电容测量电路(1)被配置成至少具有两个电桥臂(11至14)的电容测量电桥,其中一个电桥臂(11)包括所述待测电容器配置(21),其中另一个电桥臂(13)包括参考电容器(22),且所述电桥臂中的至少一个(12,14)包括所述至少一个具有可变电容的部件(31,32)。
12.根据权利要求1或9所述的方法,应用于使用所述电容测量电路(1)进行模拟测量、测试所述电容测量电路(1)或测试与所述电容测量电路(1)串联的部件。
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