[发明专利]硅通孔金属柱背面互联方法

权利要求书

1.一种硅通孔金属柱背面互联方法，其特征在于，包括：

以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在所述凸点表面形成凸点下金属层，所述硅基板上包括至少一个硅通孔金属柱；

在相邻的固定数目的所述凸点对应的所述凸点下金属层上形成锡球，所述锡球环包所述固定数目的所述凸点下金属层，以实现对应的所述硅通孔金属柱背面互联。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在所述凸点表面形成凸点下金属层之前，还包括：

对设置有至少一个硅通孔金属柱的硅基板背面进行薄化处理，以使所述硅通孔金属柱从所述硅基板背面露出，并与所述硅基板背面相距第一预设距离；

在露出所述硅通孔金属柱的所述硅基板背面形成隔离层，所述隔离层的厚度小于所述第一预设距离；

对露出于所述隔离层表面的所述硅通孔金属柱进行薄化处理，以使所述硅通孔金属柱表面与所述隔离层表面在同一平面上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对设置有至少一个硅通孔金属柱的硅基板背面进行薄化处理之前，还包括：

在所述硅基板正面键合一层具有固定厚度的载体晶片。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在相邻的固定数目的所述凸点对应的所述凸点下金属层上形成锡球之后，还包括：

对键合的所述载体晶片进行脱胶处理，以去除所述载体晶片。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在所述凸点表面形成凸点下金属层，包括：

在每个所述凸点表面分别形成凸点下金属层，且各所述凸点对应的所述凸点下金属层间隔设置。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在所述凸点表面形成凸点下金属层，包括：

在每个所述凸点表面分别形成凸点下金属层，且各所述凸点对应的所述凸点下金属层间连通。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在相邻的固定数目的所述凸点对应的所述凸点下金属层上形成锡球，包括：

在所述凸点下金属层表面采用回流焊接工艺形成所述锡球。