[发明专利]分析装置、分析方法、光学元件及电子设备

权利要求书

1.一种分析装置，其特征在于，具备：

光学元件，包括：第一金属层；以及第二金属层，所述第二金属层配置于贯通所述第一金属层的电介体柱上，并与所述第一金属层电绝缘，当将所述第二金属层视为由沿第一方向以第一节距排列有多个所述第二金属层而成的第一金属列时，所述第一金属列沿与所述第一方向交叉的第二方向以第二节距排列配置；

光源，将入射光照射至所述光学元件；以及

检测器，检测从所述光学元件放射的光，

所述光学元件的所述第二金属层的配置满足下述式(1)的关系，

P1＜P2≤Q+P1…(1)

这里，P1为所述第一节距，P2为所述第二节距，Q表示将所述第二金属层的列中所激励的局域型等离子体的角振动频率设为ω、将构成所述第一金属层的金属的电容率设为ε(ω)、将所述第一金属层的周边的电容率设为ε、将真空中的光速设为c、将作为所述入射光的照射角的与所述第一金属层的厚度方向的倾角设为θ时，由下述式(2)给出的衍射光栅的节距，

(ω/c)·{ε·ε(ω)/(ε+ε(ω))}^1/2＝ε^1/2·(ω/c)·sinθ+2mπ/Q (m＝±1,±2,,)···(2)。

2.一种分析装置，其特征在于，具备：

光学元件，包括：第一金属层；以及第二金属层，所述第二金属层配置在形成于所述第一金属层上的电介体柱上，并与所述第一金属层电绝缘，当将所述第二金属层视为沿第一方向以第一节距排列有多个所述第二金属层而成的第一金属列时，所述第一金属列沿与所述第一方向交叉的第二方向以第二节距排列配置；

光源，将入射光照射至所述光学元件；以及

检测器，检测从所述光学元件放射的光，

所述光学元件的所述第二金属层的配置满足下述式(1)的关系，

P1＜P2≤Q+P1…(1)

这里，P1为所述第一节距，P2为所述第二节距，Q表示将所述第二金属层的列中所激励的局域型等离子体的角振动频率设为ω、将构成所述第一金属层的金属的电容率设为ε(ω)、将所述第一金属层的周边的电容率设为ε，将真空中的光速设为c、将作为所述入射光的照射角的与所述第一金属层的厚度方向的倾角设为θ时，由下述式(2)给出的衍射光栅的节距，

(ω/c)·{ε·ε(ω)/(ε+ε(ω))}^1/2＝ε^1/2·(ω/c)·sinθ+2mπ/Q (m＝±1,±2,,)···(2)。

3.根据权利要求1或2所述的分析装置，其特征在于，

所述分析装置包括沿所述第一方向以第三节距排列有多个所述第二金属层的第二金属列，

所述第二金属列沿所述第二方向以所述第二节距排列，且与所述第一金属列交替地排列配置。

4.根据权利要求3所述的分析装置，其特征在于，

所述第一节距与所述第三节距相同，

属于所述第一金属列的第二金属层和属于所述第二金属列的第二金属层的形状、尺寸及所处的高度相同。

5.根据权利要求3所述的分析装置，其特征在于，

属于所述第一金属列的第二金属层和属于所述第二金属列的第二金属层的形状、尺寸及所处的高度中的至少一种不同。

6.根据权利要求1或2所述的分析装置，其特征在于，

所述光学元件包括：

沿所述第一方向以第三节距排列有多个所述第二金属层的第二金属列；以及

沿所述第一方向以第四节距排列有多个所述第二金属层的第三金属列，

所述第二金属列及所述第三金属列分别沿所述第二方向以所述第二节距排列且与所述第一金属列交替地排列配置，

分别属于所述第一金属列、所述第二金属列及所述第三金属列的第二金属层的形状、尺寸及所处的高度中的至少一种彼此不同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的分析装置，其特征在于，

所述入射光是与所述第一方向相同方向的直线偏振光。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的分析装置，其特征在于，

所述入射光是与所述第二方向相同方向的直线偏振光。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的分析装置，其特征在于，

所述入射光是圆偏振光。