[发明专利]一种三氧化钼纳米薄片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410457699.4 申请日: 2014-09-09
公开(公告)号: CN105645470A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 王立敏;张永方;孙洪明;王澳轩;储德清;马忠超 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: C01G39/02 分类号: C01G39/02;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300160*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化钼 纳米 薄片 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三氧化钼纳米薄片的制备方法,其包括如下步骤:

(1)称取一定量的仲钼酸铵及表面活性剂于烧杯中,加入一定量的溶剂;

(2)将上述溶液在室温下充分磁力搅拌一定时间;

(3)将烧杯移至超声波清洗器,恒温下缓慢加入37%的浓硝酸溶液,调至pH至2-3;

(4)继续超声30min后离心分离,用蒸馏水和乙醇各洗涤三次,置于60℃烘箱中干燥;

(5)将干燥后的产物置于马弗炉中,500℃条件下焙烧5h。

2.根据权利要求1所述的制备三氧化钼纳米薄片的方法,其特征在于所用的表面活性 剂为聚乙二醇、糊精、十六烷基三甲基溴化铵或者十二烷基苯磺酸钠。

3.根据权利要求1所述的制备三氧化钼纳米薄片的方法,其特征在于所用的溶剂为去 离子水、乙醇、三乙胺混合溶剂。

4.由权利要求1所得的产物为纯的正交相三氧化钼纳米薄片。

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