[发明专利]半导体传感器输出噪声检测装置和方法

权利要求书

1.一种半导体传感器输出噪声检测装置，包括：

检测接口，用于连接待检测传感器，向处理器传输所述待检测传感器测量获得外部物理量的待检测测量值；

参考传感器，与待检测传感器类型相同且精度高于所述待检测传感器，用于所述测量获得外部物理量的参考测量值；

处理器，分别与所述检测接口和所述参考传感器连接，根据至少两个待检测测量值计算第一噪声，根据至少两个参考测量值计算第二噪声，并计算第一噪声和第二噪声的差作为输出噪声，

其中，所述第二噪声表征由外部环境造成的噪声，所述输出噪声表征所述待检测传感器的实际输出噪声。

2.根据权利要求1所述的半导体传感器输出噪声检测装置，其特征在于，所述第一噪声为所述至少两个待检测测量值的方差，所述第二噪声为所述至少两个参考测量值的方差。

3.根据权利要求1所述的半导体传感器输出噪声检测装置，其特征在于，所述输出噪声检测装置还包括：

低噪声电源，分别连接到所述检测接口、所述参考传感器和所述处理器，用于对所述待检测传感器、所述参考传感器和所述处理器提供低噪声的供电电压。

4.根据权利要求3所述的半导体传感器输出噪声检测装置，其特征在于，所述低噪声电源包括：

电压输入接口，用于输入电源电压；

输出可调线性稳压器，与所述电压输入接口连接，用于将所述电源电压转换为可调电压；

第一线性稳压器，与所述输出可调线性稳压器连接，用于将所述可调电压转换为第一供电电压输出到所述检测接口和所述参考传感器；

第二线性稳压器，与所述电压输入接口连接，用于将所述电源电压转换为第二供电电压输出到所述处理器。

5.根据权利要求1所述的半导体传感器输出噪声检测装置，其特征在于，所述待检测传感器和所述参考传感器为MEMS传感器。

6.一种半导体传感器输出噪声检测方法，包括：

分别获取待检测传感器测量获得的至少两个待检测测量值和参考传感器测量获得的至少两个参考测量值，所述待检测测量值和所述参考测量值为将外部物理量同时施加于待检测传感器和参考传感器测量获得，所述参考传感器与所述待检测传感器类型相同且精度高于所述待检测传感器；

根据所述至少两个待检测测量值计算第一噪声，根据所述至少两个参考测量值计算第二噪声；

计算所述第一噪声和所述第二噪声的差值作为所述待检测传感器的输出噪声，

其中，所述第二噪声表征由外部环境造成的噪声，所述输出噪声表征所述待检测传感器的实际输出噪声。

7.根据权利要求6所述的半导体传感器输出噪声检测方法，其特征在于，所述第一噪声为所述至少两个待检测测量值的方差，所述第二噪声为所述至少两个参考测量值的方差。

8.根据权利要求6所述的半导体传感器输出噪声检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用低噪声供电电压对所述待检测传感器和所述参考传感器供电。