[发明专利]生化反应器

权利要求书

1.一种生化反应器，其特征在于，用以供一试管插置，该生化反应器包含有：

一第一本体，具有一第一容槽；

一第二本体，位于该第一本体上方且具有一第二容槽，该第二本体与该第一本体间隔一预定距离；以及

一温控装置，具有一基板、一第一导电层、一第二导电层、一容置孔以及一加热件；该基板具有一上表面、一背对于该上表面的下表面、以及一穿孔自该上表面至该下表面贯穿该基板；该第一导电层具有一下层覆设于该基板的下表面的局部、以及一连接层覆设于该基板的穿孔孔壁且连接于该下层；该第二导电层覆设于该基板的上表面的局部，该第二导电层未与该第一导电层电性连接；该容置孔贯穿该基板、该第二导电层与该第一导电层的下层且邻近该穿孔；该加热件设于该容置孔中且以其两端分别与该第一导电层的下层及该第二导电层电性连接；

其中，该温控装置以其基板的上表面朝上或朝下的方式设于该第一本体与该第二本体之间，该第一本体的第一容槽、该温控装置的基板的穿孔与该第二本体的第二容槽互相连通形成一试管槽，用以供该试管伸入。

2.根据权利要求1所述的生化反应器，其特征在于，该第二导电层具有一围绕该穿孔的环部。

3.根据权利要求1所述的生化反应器，其特征在于，该第一导电层的下层具有一围绕该穿孔的环部。

4.根据权利要求1所述的生化反应器，其特征在于，该容置孔与该基板的穿孔之间的最小距离小于1厘米。

5.根据权利要求1所述的生化反应器，其特征在于，该第一导电层还具有一上层覆设于该基板的上表面的局部且与该连接层连接，该第一导电层的上层具有一围绕该穿孔的环部。

6.一种生化反应器，其特征在于，用以供一试管插置，该生化反应器包含有：

一第一本体，具有一第一容槽；

一第二本体，位于该第一本体上方且具有一第二容槽，该第二本体与该第一本体间隔一预定距离；以及

一温控装置，具有一基板、一第一导电层、一第二导电层以及一加热件；该基板具有一上表面、一背对于该上表面的下表面、以及一穿孔自该上表面至该下表面贯穿该基板；该第一导电层具有一上层覆设于该基板的上表面的局部、以及一连接层覆设于该基板的穿孔孔壁且连接于该上层；该第二导电层覆设于该基板的上表面的局部，该第二导电层未与该第一导电层电性连接；该加热件设于该基板的上表面且邻近该穿孔，该加热件的两端分别与该第一导电层的上层及该第二导电层电性连接；

其中，该温控装置以其基板的上表面朝上或朝下的方式设于该第一本体与该第二本体之间，该第一本体的第一容槽、该温控装置的基板的穿孔与该第二本体的第二容槽互相连通形成一试管槽，用以供该试管伸入。

7.根据权利要求6所述的生化反应器，其特征在于，该第一导电层的上层具有一围绕该穿孔的环部。

8.根据权利要求6所述的生化反应器，其特征在于，该加热件与该基板的穿孔之间的最小距离小于1厘米。

9.根据权利要求6所述的生化反应器，其特征在于，该第一导电层还具有一下层覆设于该基板的下表面的局部且与该连接层连接，该第一导电层的下层具有一围绕该穿孔的环部。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的生化反应器，其特征在于，该温控装置的第一导电层的连接层用以贴接于该试管的外缘。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的生化反应器，其特征在于，该试管的外缘设有一导热环，该温控装置的第一导电层的连接层用以贴接于该试管的导热环。