[发明专利]一种发光二极管在审
| 申请号： | 201410456524.1 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104201261A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;王笃祥;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1. 一种发光二极管，包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层，所述MQW发光层由周期性阱/垒交替堆叠而成，所述阱层为InxGa1-xN层，所述垒层为同时掺N/P的GaN层。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述MQW发光层的周期个数为2~100。
3. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述InxGa1-xN阱层中In组分的x取值范围为0＜x＜1。
4. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述同时掺N/P的GaN垒层的个数为：1≤个数≤MQW周期个数。
5. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述GaN垒层中N/P掺杂为均匀掺杂、非均匀掺杂或delta掺杂，通过控制MO源MFC的开关来实现。
6. 根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述GaN垒层中N/P掺杂源分别为SiH4和CP2Mg。
7. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述GaN垒层中N/P掺杂周期个数为1~100。
8. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述GaN垒层中N/P掺杂区域要求在垒层内部，垒层靠近阱层的两侧区域为非掺，非掺GaN厚度≥5 nm，以防止阱层中In向垒层和垒层中Si/Mg向阱层的扩散。
9. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述GaN垒层中N/P的掺杂浓度要求≤N型GaN层/P型GaN层中N/P的掺杂浓度，范围为1×1016~1×1021cm-3。
10. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述GaN垒层中N掺浓度为靠近P型GaN层时逐渐降低，P掺浓度为靠近N型GaN层时逐渐降低。
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