[发明专利]多晶硅高效硅锭引晶板及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅高效硅锭引晶板，包括硅纯度大于99.99999%的引晶板芯（1），其特征在于，引晶板芯（1）是边长为125毫米的正方形板芯或边长为156毫米的正方形板芯，在引晶板芯（1）的外表面上粘合有碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粘合包覆层（2），粘合包覆层（2）中的碳化硅碎粒或氮化硅碎粒的粒径小于或等于0.003毫米。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅高效硅锭引晶板，其特征在于，引晶板芯（1）的体积与粘合包覆层（2）的体积的比为1：2-1：5。

3.一种多晶硅高效硅锭引晶板的制备方法，包括以下步骤：

第一步、选取硅纯度大于99.99999%的边长为125毫米或边长为156毫米的的引晶板芯（1）；

第二步、选取粒径小于或等于0.003毫米的碳化硅碎粒；

第三步、选取电阻率大于18MΩ.cm的纯水和金属含量低于30ppma的粘合剂；

第四步、将第二步选取的碳化硅碎粒与第三步选取的纯水及粘合剂一起放入到搅拌器中搅拌15-20分钟，制成密度大于2.33克/每立方厘米的碳化硅碎粒糊状悬浮液体；

第五步、将第一步选取的引晶板芯（1）放入到第四步得到的碳化硅碎粒糊状悬浮液体中浸泡2-5分钟；

第六步、将第五步浸泡好的并包覆有碳化硅碎粒糊状悬浮液层的引晶板芯（1）置于氩气气氛中，烘烧使其温度达到150-200℃，并保持10-30分钟；然后使其在氩气气氛中自然冷却到室温；

第七步、选取引晶板芯（1）的体积与粘合包覆层（2）的体积的比为1：2-1：5的成品，得到多晶硅高效硅锭引晶板。

4.一种多晶硅高效硅锭引晶板的制备方法，包括以下步骤：

第一步、选取硅纯度大于99.99999%的边长为125毫米或边长为156毫米的的引晶板芯（1）；

第二步、选取粒径小于或等于0.003毫米的氮化硅碎粒；

第三步、选取电阻率大于18MΩ.cm的纯水和金属含量低于30ppma的粘合剂；

第四步、将第二步选取的氮化硅碎粒与第三步选取的纯水及粘合剂一起放入到搅拌器中搅拌15-20分钟，制成密度大于2.33克/每立方厘米的氮化硅碎粒糊状悬浮液体；

第五步、将第一步选取的引晶板芯（1）放入到第四步得到的氮化硅碎粒糊状悬浮液体中浸泡2-5分钟；

第六步、将第五步浸泡好的并包覆有氮化硅碎粒糊状悬浮液层的引晶颗粒芯（1）置于氩气气氛中，烘烧使其温度达到150-200℃，并保持10-30分钟；然后使其在氩气气氛中自然冷却到室温；

第七步、选取引晶板芯（1）的体积与粘合包覆层（2）的体积的比为1：2-1：5的成品，得到多晶硅高效硅锭引晶颗粒。