[发明专利]测定装置、基板处理系统和测定方法

说明书

技术领域

本发明公开的实施方式涉及测定装置、基板处理系统和测定方法。

背景技术

近年来，在FPD(Flat Panel Display)制造中，通过光刻工艺在基板上形成图案。在上述的光刻工艺中，在玻璃基板等被处理基板上形成规定的膜后，涂敷抗蚀剂，使用掩膜对形成于基板上的抗蚀剂膜进行曝光使其成规定的图案。然后，将曝光后的基板浸渍在显影液中进行显影处理，从而在基板上形成图案。

然而，提案有一种对于如上述方式形成的基板的图案测定图案的线宽的装置。例如，在专利文献1中公开了一种技术，在石质平台之上载置吸附基板的吸附板，在吸附板之上载置并固定基板的状态下，测定基板的图案的线宽。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－140816号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在上述现有技术中，石质平台采用大理石等制作，因此，有可能导致线宽测定装置整体重量的增加，装置价格变得昂贵。

实施方式的一个方式的目的在于，提供一种能够实现轻量化且廉价的测定装置、基板处理系统和测定方法。

用于解决技术课题的技术方案

实施方式的一个方式所涉及的测定装置包括搬送部、拍摄部和测定部。搬送部搬送形成有图案的基板。拍摄部配置于上述搬送部的上方，对载置于上述搬送部上的上述基板的图案进行拍摄。另外，测定部根据由上述拍摄部所拍摄的所述图案的图像信息来测定上述图案的形状。

发明效果

根据实施方式的一个方式，在测定装置中，能够实现轻量化且降低价格。

附图说明

图1是表示第1实施方式所涉及的基板处理系统的结构的示意说明图。

图2是表示图1所示的线宽测定装置的结构的示意立体图。

图3是图1所示的线宽测定装置的块图。

图4是基板的示意放大图。

图5是表示线宽测定处理的处理顺序的流程图。

图6A是基板的示意平面图。

图6B是将图6A所示的基板的一部分放大表示的示意放大平面图。

图7是表示基板的振动的图表。

图8是表示在基板与第2基板测定的测定点的变形例的示意说明图。

图9是表示第2实施方式所涉及的线宽测定装置的结构的示意立体图。

图10是表示第3实施方式所涉及的线宽测定处理的处理顺序的流程图。

图11是表示第4实施方式所涉及的线宽测定处理的处理顺序的流程图。

附图标记说明

1  基板处理系统

11 抗蚀剂涂敷装置

12 减压干燥装置

13 预烘焙装置

14 冷却装置

15 曝光装置

16 局部曝光装置

17 显影装置

18 线宽测定装置

20 搬送部

30 拍摄部

40 移动部

50 测定控制装置

51 测定部

52 存储部

53 反馈部

C1～C9 区域

D、Da、Db 测定点

G 基板

具体实施方式

下面，参照附图，详细的说明本发明所公开的测定装置、基板处理系统和测定方法的实施方式。此外，本发明并不限于以下所示的实施方式。

(第1实施方式)

＜1.基板处理系统＞

首先，参照图1，对第1实施方式所涉及的基板处理系统的结构进行说明。图1是表示第1实施方式所涉及的基板处理系统的结构的示意说明图。

图1所示的第1实施方式所涉及的基板处理系统1是在被处理基板G(以下称作“基板G”。图1中未图示)上进行通过光刻工艺形成图案的处理的单元。

基板处理系统1包括：抗蚀剂涂敷装置11；减压干燥装置12；预烘焙装置13；冷却装置14；曝光装置15；局部曝光装置16；显影装置17；和线宽测定装置18。上述各个装置11～18在X轴正方向上以该顺序连接为一体。此外，上述线宽测定装置18相当于测定装置的一个例子。

此外，对于局部曝光装置16的配置位置，并不限于上述的曝光装置15的后级。即，例如也可以将局部曝光装置16配置于预烘焙装置13的后级、或者冷却装置14的后级。