[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号： | 201410455066.X | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425563B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 金尚佑;金南珍;张龙圭 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，包括：
前显示单元，包括在基板上布置的多个前像素，其中所述前像素在所述有机发光二极管显示器的前表面上显示图像；以及
侧显示单元，包括在所述基板上布置的多个侧像素，其中所述侧像素在所述有机发光二极管显示器的侧表面上显示图像，
其中所述前显示单元具有高谐振结构并且所述侧显示单元具有低谐振结构。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，其中所述前像素和所述侧像素中每个像素包括：
在所述基板上布置的多个薄膜晶体管；
保护层，被配置为覆盖所述薄膜晶体管；
在所述保护层上布置的第一电极；
在所述第一电极上布置的像素限定膜，其中通过所述像素限定膜限定开口，所述开口暴露所述保护层上的所述第一电极；
有机发射层，在所述第一电极上并且在所述像素限定膜的所述开口中布置；以及
第二电极，被配置为覆盖所述有机发射层，
其中所述侧像素的第二电极薄于所述前像素的第二电极。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，其中所述侧显示单元具有在从所述前显示单元至所述侧显示单元的端部分的方向上下降的厚度。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，其中所述前像素和所述侧像素中每个像素包括：
在所述基板上布置的多个薄膜晶体管；
保护层，被配置为覆盖所述薄膜晶体管；
在所述保护层上布置的第一电极；
在所述第一电极上布置的像素限定膜，其中通过所述像素限定膜限定开口，所述开口暴露所述保护层上的所述第一电极；
有机发射层，在所述第一电极上并且在所述像素限定膜的所述开口中布置；以及
第二电极，被配置为覆盖所述有机发射层，
其中所述前像素的第二电极包括具有比所述侧像素的第二电极的材料的反射率高的反射率的材料。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，其中所述前像素和所述侧像素中每个像素包括：
在所述基板上布置的多个薄膜晶体管；
保护层，被配置为覆盖所述薄膜晶体管；
在所述保护层上形成的第一电极；
在所述第一电极上布置的像素限定膜，其中通过所述像素限定膜限定开口，所述开口暴露所述保护层上的所述第一电极；
有机发射层，在所述第一电极上并且在所述像素限定膜的所述开口中布置；以及
第二电极，被配置为覆盖所述有机发射层，
其中所述侧像素的第二电极包括具有比所述前像素的第二电极的材料的色差低的色差的材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
