[发明专利]一种电可编程熔丝器件、集成电路和电子装置在审
| 申请号： | 201410455030.1 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105470238A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可编程 器件 集成电路 电子 装置 | ||
1.一种电可编程熔丝器件，其特征在于，包括阳极、阴极以及 连接所述阳极与所述阴极的熔丝连接部，还包括覆盖所述阳极的压应 力层和覆盖所述阴极的张应力层。
2.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 压应力层和所述张应力层延伸至所述熔丝连接部的上方。
3.如权利要求2所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 压应力层和所述张应力层彼此邻接。
4.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 压应力层的材料包括压应力氮化硅，所述张应力层的材料包括张应力 氮化硅。
5.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 压应力层与所述张应力层还作为接触孔刻蚀阻挡层。
6.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 阳极、所述阴极以及所述熔丝连接部均包括多晶硅层以及位于所述多 晶硅层之上的硅化物层。
7.如权利要求6所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 硅化物层的材料包括硅化镍、硅化钛、硅化钴、硅化钽和硅化铂中的 至少一种。
8.如权利要求1所述的电可编程熔丝器件，其特征在于，所述 阳极与所述阴极的形状相同，其形状为矩形或由矩形和等腰梯形叠加 形成的图形。
9.一种集成电路，其特征在于，包括电可编程熔丝器件，其中 所述电可编程熔丝器件包括阳极、阴极以及连接所述阳极与所述阴极 的熔丝连接部，还包括覆盖所述阳极的压应力层和覆盖所述阴极的张 应力层。
10.一种电子装置，其特征在于，包括集成电路以及与所述集成 电路相连接的电子组件，其中所述集成电路包括电可编程熔丝器件， 所述电可编程熔丝器件包括阳极、阴极以及连接所述阳极与所述阴极 的熔丝连接部，还包括覆盖所述阳极的压应力层和覆盖所述阴极的张 应力层。
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