[发明专利]封装体叠层模块在审
| 申请号: | 201410453674.7 | 申请日: | 2014-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN104733448A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
| 发明(设计)人: | 郑丁太 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;宋教花 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 体叠层 模块 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国申请No.10-2013-0159075的优先权,该申请全文以引用方式并入本文。
技术领域
本公开的实施方式涉及半导体封装件,并且更具体地说,涉及封装体叠层模块、包括该封装体叠层模块的电子系统以及包括该封装体叠层模块的存储卡。
背景技术
随着电子工业的发展,对更快速、更小和高性能的电子元件的需求在逐渐增大。相应地,半导体封装技术持续发展。例如,多个半导体芯片可堆叠在单个封装件基板上,以形成多芯片堆叠式封装件,或者多个半导体封装件可堆叠以形成封装体叠层(PoP,package-on-package)模块。在PoP模块中,堆叠式半导体封装件中的每一个可包括其上安装有至少一个半导体芯片的封装件基板。这样,在减小PoP模块的厚度方面可导致困难。
为了减小PoP模块的厚度,其中半导体封装件中的每一个可利用薄半导体芯片形成。然而,这种半导体封装件可容易翘曲。PoP模块中的半导体封装件的翘曲可在诸如焊料球之类的连接构件(其在半导体封装件之间提供电连接)中产生应力。结果,在半导体封装件与连接构件之间的界面处可形成裂纹,并且所述裂纹可降低PoP模块的可靠性。
发明内容
各个实施方式涉及封装体叠层(PoP)模块、包括该PoP模块的电子系统和包括该PoP模块的存储卡。
根据一些实施方式,一种封装体叠层(PoP)模块包括下封装件和该下封装件上的上封装件。下封装件包括下基板和设置在下基板的上表面上方的下芯片。上封装件包括上基板、设置在上基板的上表面上方的多个上芯片和设置在所述多个上芯片上方的上模制构件。上模制构件被划分为通过沟槽彼此分离的至少两个部分。
所述第一方向和所述第二方向可以基本彼此垂直。
所述沟槽可包括位于所述多个上芯片中的两个上芯片之间的第一沟槽和位于所述多个上芯片中的两个上芯片之间的第二沟槽;并且,所述第一沟槽和所述第二沟槽可分别沿着所述第二方向和所述第一方向取向。
根据另一实施方式,一种封装体叠层(PoP)模块包括下封装件和该下封装件上的上封装件。下封装件包括下基板和设置在下基板的上表面上方的下芯片。上封装件包括上基板、设置在上基板的上表面上方的多个上芯片和覆盖所述多个上芯片的上模制构件。上模制构件被划分为通过第一沟槽和第二沟槽彼此分离的三个部分。第一沟槽布置为邻近于上芯片的第一侧,并且第二沟槽布置为邻近于上芯片的与第一侧相反的第二侧。
所述PoP模块还可包括设置在所述下基板与所述上基板之间的连接构件。
所述连接构件可包括焊料球。
所述多个上芯片可沿着基本垂直于所述上基板的上表面的竖直方向堆叠。
所述第一沟槽和所述第二沟槽可划分所述上模制构件,以使得经划分的上模制构件可沿着第一方向排列。
所述经划分的上模制构件可包括覆盖所述多个上芯片的第一上模制构件、位于所述第一上模制构件的第一侧的第二上模制构件和位于所述第一上模制构件的与所述第一侧相反的第二侧的第三上模制构件。
所述第二上模制构件可沿着第一方向的宽度基本等于所述第三上模制构件沿着第一方向的宽度。
所述第一沟槽和所述第二沟槽可沿着基本垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
所述PoP模块还可包括分别设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一缓冲层和第二缓冲层。
所述第一缓冲层和所述第二缓冲层可包括聚合物材料。
根据另一实施方式,一种封装体叠层(PoP)模块包括下封装件、上封装件和支承肋。下封装件包括下基板和设置在下基板的上表面上方的下芯片。上封装件包括设置在下芯片上方的上基板、设置在上基板的上表面上方的多个上芯片和设置在所述多个上芯片上方的上模制构件。支承肋附着于上基板的下表面以及下基板的侧壁。
根据另一实施方式,一种电子系统包括存储器和与存储器连接的控制器。存储器或控制器包括下封装件和该下封装件上的上封装件。下封装件包括下基板和设置在下基板的上表面上方的下芯片。上封装件包括上基板、设置在上基板的上表面上方的多个上芯片和设置在所述多个上芯片上方的上模制构件。上模制构件被划分为通过沟槽彼此分离的至少两个部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司;,未经爱思开海力士有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410453674.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双层LED封装结构
- 下一篇:一种蘑菇型人工磁导体结构
- 同类专利
- 专利分类





