[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供底部晶圆；

步骤S2：在所述底部晶圆上形成绝缘层，并在所述绝缘层中形成若干互连通孔，以连接所述底部晶圆；

步骤S3：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有若干与所述互连通孔相匹配的凸点；

步骤S4：将所述互连通孔和所述凸点相连接，以形成倒装芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述底部晶圆包括存储晶圆。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述绝缘层选用有机绝缘材料。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述绝缘层选用聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，形成所述绝缘层的方法包括：在所述底部晶圆上形成绝缘材料涂层，然后进行烘焙，以形成所述绝缘层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：在所述底部晶圆上形成绝缘层，以覆盖所述底部晶圆；

步骤S22：图案化所述绝缘层，以形成若干开口，露出所述底部晶圆；

步骤S23：在所述开口中填充导电材料层，以形成所述互连通孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S23包括：

步骤S231：在所述开口中沉积金属Cu的种子层；

步骤S232：通过电化学镀铜的方法在所述开口中形成金属Cu，以填充所述开口。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶部晶圆包括专用集成电路。

9.一种半导体器件，包括：

底部晶圆；

绝缘层，位于所述底部晶圆的上方；

互连通孔，位于所述绝缘层中，并与所述底部晶圆相连接；

顶部晶圆，位于所述绝缘层的上方，其中，所述顶部晶圆上形成有凸点，所述凸点和所述互连通孔相连接。

10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述绝缘层包括聚酰亚胺。

11.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述底部晶圆包括存储晶圆；

所述顶部晶圆包括专用集成电路。

12.一种电子装置，包括权利要求9至11之一所述的半导体器件。