[发明专利]基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器有效
| 申请号: | 201410451930.9 | 申请日: | 2014-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN104283671B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
| 发明(设计)人: | 包伯成;林毅;徐权;于晶晶;姜盼 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
| 主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00 |
| 代理公司: | 南京知识律师事务所32207 | 代理人: | 卢亚丽 |
| 地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 广义 colpitts 振荡器 混沌 信号发生器 | ||
技术领域
本发明涉及一种基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器,即将广义忆阻器引入到四阶Colpitts振荡器中,从而构成一种新型混沌信号发生器。
背景技术
Colpitts(考毕子或考毕兹)振荡器是以发明者Edwin H.Colpitts命名的电子振荡器。Colpitts振荡器可以看成是Hartley(哈特莱)振荡器的对偶。Colpitts振荡器采用了两个电容和一个电感,而Hartley振荡器采用了两个电感和一个电容。
Colpitts振荡电路作为典型的电容三点式反馈振荡电路,是人们所熟知的振荡器电路。Colpitts振荡电路广泛地应用于从极低频段到毫米波频段的信号源中。在传统Colpitts振荡电路的应用中,人们关注的是其简谐振荡特性,并尽力抑制其他的非线性效应,以期获得高质量的正弦信号输出。1994年,Kennedy发现了Colpitts电路可以产生混沌振荡,此后,Colpitts混沌电路逐渐为人们所关注,并成为一个研究热点。研究表明Colpitts振荡电路和蔡氏电路在电路拓扑结构以及动力学特性上存在相似性。但Colpitts振荡电路利用三极管的非线性特征产生混沌振荡,不像蔡氏电路基于运算放大器构建的双端口非线性负阻产生混沌。微波三极管的工作频率远远高于运算放大器,这使得Colpitts振荡电路更适合设计工作在微波频段的混沌信号发生器。从应用的角度讲,频率更高、带宽更宽的混沌信号符合扩频通信系统、超宽带通信与混沌雷达等应用领域的需要。
自1963年美国麻省理工学院著名气象学家Lorenz提出第一个混沌系统以来,国内外众多学者提出并构造了大量的混沌系统。早期的混沌系统生成模型,如Lorenz大气湍流方程、Logistic虫口模型、蔡氏(Chua)混沌电路等,一般是从物理系统中经过简化和抽象后获得的,并以此为基础建立的相应的混沌系统理论体系。近期的混沌系统生成模型则是以已有的混沌理论为基础,主要基于已有的模型作延伸构造出新的模型。例如,Chen系统和Lü系统是从Lorenz系统中生成的,并与Lorenz系统共同构成广义Lorenz系统。总体来说,随着混沌系统的迅猛发展,混沌系统越来越需要新的模型去继续完善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是将广义忆阻器引入到Colpitts振荡器中实现一种新的混沌信号发生器。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种将广义忆阻器引入到Colpitts振荡器中,构成五阶的基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器,其技术方案如下:
基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器,包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L、电阻R1、电阻R2、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M;其中双极性三极管Q的基极端与发射极端分别与电容C1的正、负极端相连,分别记做a、b端;双极性三极管Q的集电极与电感L的一端相连,记做c端;电感L的另一端与电阻R1的一端相连,记做d端;电阻R1的另一端与电源VCC的正极端相连;电源VCC的负极端与a端相连;基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的正极端与电容C3的正极端相连,记做e端;电容C3的负极端与电容C2的正极端相连,记做f端;电容C2的负极端与b端相连;基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的负极端与电源VEE的负极端相连,记做g端;电源VEE的正极端与电阻R2的一端相连;电阻R2的另一端与b端相连;其中c、d端分别与f、e端相连;a、g端分别接地。
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