[发明专利]一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：包括供气系统、排气系统、真空反应室、支架、喷气系统、激振器、沉积台和电控装置，所述支架固定设置在真空反应室内，所述激振器设置在支架底部，所述沉积台位于支架上，所述激振器输出杆与沉积台固定连接，用于产生高频振动能量传递给沉积台，所述喷气系统设置在沉积台上方，且所述喷气系统通过升降台可相对所述支架上下移动，所述喷气系统的喷嘴相对于所述沉积台，所述供气系统分别为真空反应室以及喷气系统提供惰性气体和反应气体，所述排气系统与真空反应室相通，用于为真空反应室抽真空，所述激振器、供气系统和排气系统均与电控装置电性连接，所述电控装置还包括射频电源RF，所述喷气系统和沉积台分别与射频电源RF的正极和负极连接。

2.根据权利要求1所述的一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述真空反应室由腔壁、上盖和下盖密封形成，所述腔壁为圆筒形腔壁,所述上盖和下盖分别罩设在圆筒形腔壁的上端和下端，且上盖和下盖均与圆筒形腔壁密封连接，所述圆筒形腔壁的外壁上开设有石英窗，透过该石英窗可以观测到腔壁内部。

3.根据权利要求1所述的一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述供气系统包括气体发生装置、第一进气管、惰性气体阀、第二进气管和反应气体阀，所述惰性气体阀安装在第一进气管中段，所述第一进气管一端与气体发生装置连通，第一进气管另一端穿过所述上盖与真空反应室内连通，所述反应气体阀安装在第二进气管中段，所述第二进气管一端与气体发生装置连通，所述第二进气管另一端与喷气系统连通，为喷气系统提供反应气体。

4.根据权利要求3所述的一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述喷气系统包括连接杆、冂型连接架和喷气板，所述喷气板包括连接板、中板和喷射板，所述连接杆顶部穿过上盖并可相对该上盖上下移动，所述连接杆底部与冂型连接架顶部焊接固定，所述冂型连接架两脚底部与所述连接板顶部焊接固定，所述连接板底面四周通过绝缘层与中板顶面四周连接，所述中板底面四周通过绝缘层与喷射板顶面四周连接，所述连接板和中板之间的空间为上腔、所述中板和喷射板之间的空间为下腔，所述连接板上设有进气口，该进气口与第一进气管连通，所述中板上均匀设有气流孔，所述喷射板上均匀设有气流喷射孔，所述喷射板与射频电源RF的正极连接。

5.根据权利要求4所述的一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述升降台包括下连接板、上连接板、滑块、滑轨、丝杆、第二连接杆和滚轮，所述滑轨为两根并列的滑轨，所述上连接板和下连接板分别连接在两根并列的滑轨的上下两端，所述下连接板与上盖的上表面固定连接，所述滑块与两根并列的滑轨滑动配合，所述滑块上端与丝杆连接，丝杆上端穿出所述上连接板中心孔，且所述丝杆与上连接板螺纹配合连接，所述滑块下端与连接杆连接，所述下连接杆下端穿出所述下连接板中心孔，所述上盖还开设有供第二连接杆穿过的通孔，所述第二连接杆下端与连接杆固定连接，所述丝杆顶部连接滚轮的中心转轴，由滚轮的转动带动丝杆的转动，进而推动滑块沿轨道滑动，而连接在滑块下的连接杆相应地上下运动。

6.根据权利要求1所述的一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述沉积台包括载物板和U型热板，所述载物板设置在U型热板上，该载物板底面和U型热板内表面围成一通气腔，所述通气腔内的U型热板的底面均匀设有多个加热片，所述通气腔内的载物板上均匀设有多个热传感器，所述U型热板的底面还开设有多个通气孔，所述载物板上还设有收集片，所述U型热板外底面中部连接有一根支撑杆，所述支撑杆与所述激振器输出杆固定连接，激振器产生高频振动能量通过输出杆及支撑杆传递给沉积台。

7.根据权利要求1所述的一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置，其特征在于：所述支架包括底座、固定板、第一固定架、第一圆形滑块、第一绝热层、第二固定架、第二圆形滑块和第二绝热层，所述底座设置在下盖上，所述固定板设置在底座上，所述激振器固定设置在固定板上，所述第一固定架底部与固定板固定连接，所述第一固定架顶部与第一圆形滑块连接，所述第一绝热层与设置在第一圆形滑块上，所述第二固定架底部与第一绝热层固定连接，所述第二固定架顶部与第二绝热层固定连接，所述第二圆形滑块设置在第二绝热层上。