[发明专利]可编程存储器

权利要求书

1.一种可编程存储器，包括：

选择晶体管，其包括栅极区域、源极区域和漏极区域；以及

反熔丝器件，其连接至所述选择晶体管的所述漏极区域，

其中，所述反熔丝器件包括在所述漏极区域上表面上的电介质层，在所述电介质层上的多晶硅层，以及与所述漏极区域接触的第一电极；

所述源极区域被配置为具有第一导电型的第一扩散区；并且

所述漏极区域被配置为具有第二导电型的第二扩散区。

2.如权利要求1所述的可编程存储器，其中在向所述第一电极施加高电压并接通所述选择晶体管时，所述电介质层被击穿。

3.如权利要求1所述的可编程存储器，还包括与所述源极电接触的位线，且在向所述位线和所述第一电极施加高电压且接通所述选择晶体管时，所述电介质层被击穿。

4.如权利要求1所述的可编程存储器，其中所述选择晶体管和所述反熔丝器件共用所述漏极区域。

5.如权利要求1所述的可编程存储器，其中所述选择晶体管的所述栅极包括多晶硅层，且所述选择晶体管在所述栅极与包括所述源极和所述漏极区域的衬底之间还包括栅氧化层。

6.如权利要求5所述的可编程存储器，其中所述反熔丝器件的所述多晶硅层与所述栅极具有相同的成分和相同的厚度。

7.如权利要求1所述的可编程存储器，其中所述漏极区域包括反熔丝接触区且所述可编程存储器还包括在所述反熔丝接触区和编程线之间的触点。

8.如权利要求7所述的可编程存储器，其中所述编程线、所述反熔丝触点以及所述漏极区域被配置成向所述反熔丝器件提供编程电压和/或电流。

9.如权利要求8所述的可编程存储器，还包括位线，其被配置成从所述反熔丝器件传送电压，其中所述选择晶体管电连接至所述位线。

10.一种制备可编程存储器的方法，包括：

在具有第一导电型杂质的衬底中形成具有第一导电型杂质的源极和具有第二导电型杂质的漏极区域；

在所述衬底上形成电介质层；

在所述电介质层上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层和所述电介质层图案化以形成(i)与所述源极和所述漏极区域重叠的选择晶体管的栅电极和(ii)所述漏极区域上方的反熔丝器件的电极。

11.如权利要求10所述的方法，还包括在所述漏极区域的一侧的衬底中形成杂质掺杂区，其被配置成向所述衬底施加偏压。

12.如权利要求10所述的方法，还包括形成电连接至所述漏极区域的触点。